[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310593999.0 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103915497B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
n+型碳化硅基板；
依次地设置在所述n+型碳化硅基板的第一表面上的n-型外延层、p型外延层、和n+区；
沟槽，其穿透所述n+区和所述p型外延层，设置在所述n-型外延层上，且包括设置于所述沟槽两侧上的多个突起；
设置在所述沟槽内的栅极绝缘膜；
设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；
设置在所述栅电极上的氧化膜；
设置在所述p型外延层、所述n+区、和所述氧化膜上的源电极；和
置于所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，
其中所述多个突起延伸到所述p型外延层，并且
位于所述沟槽的一侧上的突起彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个突起被设置在所述沟槽的侧面与所述p型外延层之间的接触区域。
3.一种半导体器件的制造方法，该方法包括：
在n+型碳化硅基板的第一表面上依次形成n-型外延层、p型外延层、和n+区；
通过穿透所述n+区和所述p型外延层并通过蚀刻所述n-型外延层的一部分，形成沟槽；和
通过蚀刻所述沟槽的两侧，形成多个突起，
其中所述多个突起延伸到所述p型外延层，并且
位于所述沟槽的一侧上的突起彼此间隔开。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个突起被设置在所述沟槽的侧面与所述p型外延层之间的接触区域。
5.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：
在形成多个突起之后，在所述沟槽内形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；
在所述栅极绝缘膜和所述栅电极上形成氧化膜；和
在所述p型外延层、所述n+区、和所述氧化膜上形成源电极，并在所述n+型碳化硅基板的第二表面上形成漏电极。
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