[发明专利]电压控制装置

权利要求书

1.一种电压控制装置，其特征在于，包括：

参考电压生成器，用于通过控制带隙基准电压源生成参考电压；

主校准器，所述主校准器中的运算放大器的正向输入端与所述参考电压生成器的参考电压输出端相连接；以及

从校准器，与所述主校准器的输出端相连接。

2.根据权利要求1所述的电压控制装置，其特征在于，所述参考电压生成器包括：

第一直流电压源；

带隙基准电压源，所述带隙基准电压源的第一端与所述第一直流电压源相连接；

第一参考电压输出端，与所述带隙基准电压源的第二端相连接；

第一支路，通过第一电阻连接在所述带隙基准电压源第二端和地线之间；以及

第二支路，通过依次串联的第二电阻、PMOS二极管、第一NMOS二极管和第三电阻连接在所述带隙基准电压源第二端和所述地线之间，

其中，所述带隙基准电压源通过控制所述第一支路和所述第二支路的电流比率，控制所述输出端输出参考电压。

3.根据权利要求2所述的电压控制装置，其特征在于，所述第二支路包括：

第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述带隙基准电压源的第二端相连接。

4.根据权利要求3所述的电压控制装置，其特征在于，所述第二支路还包括：

PMOS二极管，所述PMOS二极管的发射极与所述第二电阻的第二端相连接，所述PMOS二极管的集电极与所述PMOS二极管的基极相连接。

5.根据权利要求4所述的电压控制装置，其特征在于，所述第二支路还包括：

第一NMOS二极管，所述第一NMOS二极管的集电极与所述PMOS二极管的集电极相连接，所述第一NMOS二极管的集电极与所述NMOS二极管的基极相连接，所述第一NMOS二极管的基极与所述PMOS二极管的基极相连接。

6.根据权利要求5所述的电压控制装置，其特征在于，所述第二支路还包括：

第三电阻，所述第三电阻的第一端与所述第一NMOS二极管的发射极相连接，所述第三电阻的第二端接地。

7.根据权利要求2所述的电压控制装置，其特征在于，所述主校准器包括：

运算放大器，所述运算放大器的正向输入端与所述第一参考电压输出端相连接；

第二NMOS二极管，所述第二NMOS二极管的基极与所述运算放大器的输出端与相连接，集电极与第二直流电压源相连接；

第四电阻，所述第四电阻的第一端与所述第二NMOS二极管的发射极相连接，所述第四电阻的第二端与所述运算放大器的反向输入端相连接；

第五电阻，所述第五电阻的第一端与所述第四电阻的第二端相连接，所述第五电阻的第二端接地；以及

第二参考电压输出端，与所述第二NMOS二极管的发射极相连接，

其中，所述主校准器形成负反馈电路，用于校准输出的参考电压。

8.根据权利要求1所述的电压控制装置，其特征在于，所述电压控制装置包括多个所述从校准器，所述多个从校准器与所述主校准器的输出端相连接。