[发明专利]电压控制装置

说明书

技术领域

本发明涉及电路领域，具体而言，涉及一种电压控制装置。

背景技术

在深度亚微型技术中，器件的性能受到温度和参考电压的影响。对于电路设计者来说，希望能在PVT中保持电路的频带宽度不变。

在模拟电路的设计中，一般来说，从电路外部引入的供电电压随着温度的变化存在着一定的波动，而模拟电路对电压的稳定性要求较高，由于温度的变化，可能导致供电电压不稳定，从而导致电路的频带宽度变化。

针对现有技术中器件的供电电压不稳定的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电压控制装置，以解决器件的供电电压不稳定的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的另一方面，提供了一种电压控制装置。根据本发明的电压控制装置包括：参考电压生成器，用于通过控制带隙基准电压源生成参考电压；主校准器，主校准器中的运算放大器的正向输入端与参考电压生成器的参考电压输出端相连接；从校准器，与主校准器的输出端相连接。

进一步地，参考电压生成器包括：第一直流电压源；带隙基准电压源，带隙基准电压源的第一端与第一直流电压源相连接；第一参考电压输出端，与带隙基准电压源的第二端相连接；第一支路，通过第一电阻连接在带隙基准电压源第二端和地线之间；第二支路，通过依次串联的第二电阻、PMOS二极管、第一NMOS二极管和第三电阻连接在带隙基准电压源第二端和地线之间，其中，带隙基准电压源通过控制第一支路和第二支路的电流比率，控制输出端输出参考电压。

进一步地，第二支路包括：第二电阻，第二电阻的第一端与带隙基准电压源的第二端相连接。

进一步地，第二支路还包括：PMOS二极管，PMOS二极管的发射极与第二电阻的第二端相连接，PMOS二极管的集电极与PMOS二极管的基极相连接。

进一步地，第二支路还包括：第一NMOS二极管，第一NMOS二极管的集电极与PMOS二极管的集电极相连接，第一NMOS二极管的集电极与NMOS二极管的基极相连接，第一NMOS二极管的基极与PMOS二极管的基极相连接。

进一步地，第二支路还包括：第三电阻，第三电阻的第一端与第一NMOS二极管的发射极相连接，第三电阻的第二端接地。

进一步地，主校准器包括：运算放大器，运算放大器的正向输入端与第一参考电压输出端相连接；第二NMOS二极管，第二NMOS二极管的基极与运算放大器的输出端与相连接，集电极与第二直流电压源相连接；第四电阻，第四电阻的第一端与第二NMOS二极管的发射极相连接，第四电阻的第二端与运算放大器的反向输入端相连接；第五电阻，第五电阻的第一端与第四电阻的第二端相连接，第五电阻的第二端接地；以及第二参考电压输出端，与第二NMOS二极管的发射极相连接，其中，主校准器形成负反馈电路，用于校准输出的参考电压。

进一步地，电压控制装置包括多个从校准器，多个从校准器与主校准器的输出端相连接。

通过本发明，采用生成参考电压，并利用参考电压校准供电电压的装置，解决了现有技术中器件的供电电压不稳定的问题，进而达到了提供稳定电压的效果。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是根据本发明实施例的电压控制装置的示意图；

图2是根据本发明实施例的参考电压生成器的电路图；以及

图3是根据本发明实施例的主校准器的示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种电压控制装置。

图1是根据本发明实施例的电压控制装置的示意图。如图所述，该电压控制装置包括参考电压生成器、主校准器和从属校准器。