[发明专利]一种提升有机发光二极管结构强度的方法无效
| 申请号： | 201310597065.4 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103730604A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 谢博钧;邓学易;粟宝卫;翟宏峰 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201508 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 有机 发光二极管 结构 强度 方法 | ||
1.一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于，该方法包括：
通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕；
通过蚀刻工艺去除所述研磨工艺过程中产生的微裂痕。
2.如权利要求1所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述研磨工艺采用磨轮进行研磨。
3.如权利要求2所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述磨轮的材质为人工钻石。
4.如权利要求2所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述磨轮为圆柱状或者圆盘状。
5.如权利要求1所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述蚀刻工艺采用酸性溶液或者酸性膏状物质进行蚀刻。
6.如权利要求1所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：进行蚀刻工艺之前，对有机发光二极管的侧面包覆供保护用于封装所述有机发光二极管用的熔块的一耐酸性光阻层。
7.如权利要求6所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述耐酸性光阻层通过浸泡方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。
8.如权利要求6所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述耐酸性光阻层通过喷墨方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。
9.如权利要求6所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述耐酸性光阻层通过印刷方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
