[发明专利]一种提升有机发光二极管结构强度的方法无效
申请号: | 201310597065.4 | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN103730604A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 谢博钧;邓学易;粟宝卫;翟宏峰 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201508 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 有机 发光二极管 结构 强度 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示技术领域,尤指一种提升有机发光二极管结构强度的方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自发光的特性,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当电流通过时,有机材料就会发光,而且有机发光二极管显示屏幕可视角度大,并且能够显著节省电能,因此现在有机发光二极管的应用越来越广泛。
目前有机发光二极管的封装方式通常采用激光熔接封合(Laser Frit),将整版的玻璃封装后,在整体进行薄化处理,处理后在进入切割流程,依据所需要的有机发光二极管大小进行切割。这种加工方式,在切割断面上会留存一些切割裂痕,影响整个显示屏的结构强度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种提升有机发光二极管结构强度的方法,可以解决因有机发光二极管留存有切割裂痕而影响显示屏强度的问题。
实现上述目的的技术方案是:
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法,包括依次执行如下步骤:
通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕;
通过蚀刻工艺去除所述研磨工艺过程中产生的微裂痕。
采用上述方案,通过研磨可以完全去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕,但是会留有研磨过程中形成的新的微裂痕,再通过蚀刻工艺,利用液态渗透原理,消除研磨形成的微裂痕,降低有机发光二极管中玻璃基层上的应力残留,达到提升有机发光二极管的结构强度。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:所述研磨工艺采用磨轮进行研磨。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:所述磨轮的材质为人工钻石。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:所述磨轮为圆柱状或者圆盘状。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:所述蚀刻工艺采用酸性溶液或者酸性膏状物质进行蚀刻。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:进行蚀刻工艺之前,对有机发光二极管的侧面包覆供保护用于封装有机发光二极管结构的熔块的一耐酸性光阻层。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:所述耐酸性光阻层通过浸泡方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:所述耐酸性光阻层通过喷墨方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。
本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于:所述耐酸性光阻层通过印刷方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。
附图说明
图1为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的流程图;
图2为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法中有机发光二极管的封装结构示意图;
图3为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法中包覆耐酸性光阻层后的结构示意图;
图4为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法中进行蚀刻工艺后的状态示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
请参阅图1所示,为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的流程图。有机发光二极管(有机发光二极管)的显示屏越来越普及,目前制作有机发光二极管显示屏的方法多为激光熔接封合(Laser Frit),对封装好的玻璃基层进行薄化处理,一般是采用透过蚀刻液进行蚀刻,达到减薄显示屏的功能。然后依据所需尺寸进行切割,切割后进入模组制程以得到可使用的显示屏。上述切割过程中会致使玻璃基层的切割处留有裂痕,该裂痕的存在直接影响显示屏的结构强度。下面结合附图对本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法进行说明。
有机发光二极管显示屏包括四个首尾相接的侧面、一顶面以及一底面,顶面和底面为玻璃基板,该有机发光二极管显示屏的侧面由切割形成,该侧面上留有切割裂痕。
如图1所示,本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法包括依次执行以下步骤:S101,对切割好的有机发光二极管进行研磨,研磨切割处留下的切割裂痕,通过研磨工艺将切割裂痕完全去除;S103,于有机发光二极管的四个侧面的中间位置包覆一耐酸性光阻层;S105,通过蚀刻工艺消除研磨形成的微裂痕。
下面结合图2至图4,对本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法进行详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择