[发明专利]用连接片实现连接的半导体封装有效

专利信息
申请号: 201310598165.9 申请日: 2010-05-05
公开(公告)号: CN103824841A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 鲁军;刘凯;薛彦迅 申请(专利权)人: 万国半导体有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/07;H01L23/48;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 连接 实现 半导体 封装
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构和制造方法,特别涉及一种用连接片实现连接的半导体封装及其制造方法。

背景技术

为了符合电子产品小型化的需要,多芯片的半导体封装成为一种趋势,多芯片模块的半导体封装是在单一封装件内承载多个芯片。

如中国专利授权公告号CN201063342Y中,披露了一种多芯片封装结构,包括:第一引线框架,包括第一芯片座、第一内引脚和第二外引脚;第二引线框架,包括第二芯片座和第二内引脚;第二引线框架位于第一引线框架的上方或下方,通过连接体将第一引线框架与第二引线框架进行电连接;第一芯片,固定在第一芯片座上,第一芯片上的焊垫通过导线与第一内引脚电连接;第二芯片,固定在第二芯片座上,第二芯片上的焊垫通过导线与第二内引脚电连接;以及塑封体,将第一芯片座、第一内引脚、第一芯片、第二引线框架和第二芯片封装在其内。

另外,在现有技术中也有如图1所示的封装结构,在该封装中,首先用引线1将芯片2与引脚列3、4连接,然后如图中箭头所示位置,在封装底部将引脚列3、4切割分为多列引脚31、32及41、41,从而使半导体封装体设置多个引脚,方便外部电路的连接。

上述用于芯片封装的现有技术是将导线用于芯片与引线框架之间的连接,但是导线连接的多个芯片在封装工艺过程中,粘结及锡焊回流过程通常会使芯片容易产生错动,并且由于芯片的移动,同时造成导线之间短路,影响电路的性能,此外在现有技术中为了增加引脚,是在封装体底部进行切割,灵活性差的同时还增加了工艺的复杂度,不利于降低生产成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种用连接片实现连接的半导体封装及其制造方法,该半导体封装结构及制造方法中,将连接片用于半导体内部多个芯片的固定与连接,多个芯片由于连接片的连接作用,其位置固定且性能稳定,并且连接片的安装及分割方便,简化了工艺流程,降低了生产成本。

为了达到上述目的,本发明的技术方案是:用连接片实现连接的半导体封装体,其特点是,包括:

数个芯片,所述的每个芯片分别具有数个顶部接触区;

一个或多个连接片,所述的个连接片与芯片的顶部接触区连接,在一实施例中, 一个或数个连接片连筋凸起区域将所述的连接片至少分离为一连接片第一部分和一连接片第二部分与芯片的顶部接触区连接, 所述的连接片连筋凸起区域有一导电区段被除去使得所述的连接片第一部分和连接片第二部分相互之间电性分离;在另一实施例中一连接片包含数个连筋凸起区域并在所述的数个凸起区域处断开形成电绝缘的多个部分;

一塑封体,用以封装芯片以及连接片。

在上述用连接片实现连接的半导体封装体的一实施例中,所述的数个芯片包括一具有顶部第一接触区和顶部第二接触区的第一芯片,其中,所述的连接片第一部分和连接片第二部分分别连接所述第一芯片的顶部第一接触区和顶部第二接触区。

在上述用连接片实现连接的半导体封装体的另一实施例中, 所述的数个芯片包括一第一芯片和一第二芯片, 所述的第一芯片具有顶部第一接触区, 所述的第二芯片具有顶部第二接触区,其中,所述的连接片第一部分和连接片第二部分分别连接所述顶部第一接触区和顶部第二接触区。

上述的用连接片实现连接的半导体封装体,其中所述的塑封体上表面有至少一切割沟渠,所述切割沟渠穿过所述连接片连筋凸起区域,从而除去所述连接片连筋凸起区域中一导电区段使得所述的连接片第一部分和连接片第二部分相互之间电性分离。

上述的用连接片实现连接的半导体封装体,所述的塑封体上表面露出所述的连接片连筋凸起区域被除去导电区段的断截面。

上述的用连接片实现连接的半导体封装体还包括一个基板框架,用于放置所述的多个芯片,芯片的底部接触区与基板框架具有电连接,所述的基板框架设有多个基板框架外引脚;

上述的用连接片实现连接的半导体封装体,其中,所述的基板框架包括第一芯片座和第二芯片座, 所述的第一芯片放置在一第一芯片座上; 所述的第二芯片放置在一第二芯片座上。

上述的用连接片实现连接的半导体封装体,其中,所述的第一连接片设有折弯部分向下延伸并连接到基板框架第一芯片座。

连接连接连接上述的用连接片实现连接的半导体封装体,其中,所述的第一芯片和第二芯片包括一低边金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高边金属氧化物半导体场效应管器件。

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