[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷的制造方法在审
申请号: | 201310601354.7 | 申请日: | 2013-11-17 |
公开(公告)号: | CN104649709A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 宋永法 | 申请(专利权)人: | 宋永法 |
主分类号: | C04B38/06 | 分类号: | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 266214 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 碳化硅 陶瓷 制造 方法 | ||
1.一种多孔碳化硅陶瓷的制造方法,其特征是,它包括下列步骤:
(1)配料:以碳化硅和氧化铝为起始原料,以石墨作为造孔剂;将碳化硅和氧化铝按照5∶3质量比例混合,石墨质量百分数范围控制在15~30wt%,分别称取三种原料后搅拌均匀,得陶瓷粉料;
(2)混料:以酒精为分散介质,加入1~10wt%的酚醛树脂为粘结剂,将酚醛树脂和酒精按照1∶10体积比混合,得混料溶液;将陶瓷粉料与混料溶液混合,采用碳化硅研磨球,按照粉料与研磨球质量比为1∶2,将上述陶瓷粉料和混料溶液在聚四氟乙烯球磨罐中,置于行星球磨机上球磨,得陶瓷料浆;
(3)干燥:将步骤2)所得料浆,在旋转蒸发仪70~80℃条件下干燥2~4小时,将粉料烘干后进行研磨,并过120目筛,得干燥粉料;
(4)成型:将粉料在冷压机中压制成长方形试条,所述坯体的尺寸由冷压成型中模具尺寸控制,成型压力为30~90MPa;
(5)烧结:将步骤4)所得的坯体在快速升温炉中升至烧结温度1400~1550℃,烧结保温1~4小时。烧制过程中由室温升至烧结温度及烧结完成后冷却至室温过程中速率约为5℃/min。
2.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制造方法,其特征是:以碳化硅和氧化铝为起始原料,以石墨作为造孔剂;将碳化硅和氧化铝按照5∶3质量比例混合,石墨质量百分数范围控制在15~30wt%。
3.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制造方法,其特征是:以酒精为分散介质,加入1~10wt%的酚醛树脂为粘结剂,将酚醛树脂和酒精按照1∶10体积比混合,得混料溶液;将陶瓷粉料与混料溶液混合,采用碳化硅研磨球,按照粉料与研磨球质量比为1∶2,将上述陶瓷粉料和混料溶液在聚四氟乙烯球磨罐中,置于行星球磨机上球磨,球磨机转速为120~360r/min,球磨时间1~4小
时,得陶瓷料浆。
4.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制造方法,其特征是:将料浆在旋转蒸发仪70~80℃条件下干燥2~4小时,将粉料烘干后进行研磨,并过120目筛,制成干燥粉料。
5.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制造方法,其特征是:将粉料在冷压机中压制成长方形试条,所述坯体的尺寸由冷压成型中模具尺寸控制,成型压力为30~90MPa。
6.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷的制造方法,其特征是:将坯体在快速升温炉中升至烧结温度1400~1550℃,烧结保温1~4小时。烧制过程中由室温升至烧结温度及烧结完成后冷却至室温过程中速率为5℃/min。
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