[发明专利]基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板无效
| 申请号： | 201310601711.X | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103659000A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 彭栋纯;吕鹏;武金柱;朱小磊;孙连顺 | 申请（专利权）人： | 昆山鼎鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/382 | 分类号： | B23K26/382;B23K26/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215316 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板层 激光 方法 应用于 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板层激光开孔方法，其特征在于，其步骤包括：
S1：将基板进行黑氧化处理；
S2：对基板进行激光钻孔。
2.如权利要求1所述的基板层激光开孔方法，其特征在于，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。
3.如权利要求2所述的基板层激光开孔方法，其特征在于，在S2步骤中，以所述上层铜箔为入射面对基板进行激光钻孔。
4.如权利要求2或3所述的基板层激光开孔方法，其特征在于，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。
5.一种用于权利要求1所述的基板层激光开孔方法的基板，其特征在于，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。
6.如权利要求5所述的基板，其特征在于，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。
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