[发明专利]基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种基板层激光开孔的方法及应用于该方法的基板。

背景技术

目前，ELIC（任意层互连，英文全称：Every layer inner connect）产品在做基板层激光开孔时，其流程如图1a至1d所示，具体地，如图1a所示，所述基板原始状态包括上下两层的铜箔1，两层铜箔1之间为有机介层2；首先，需在上层铜箔1上刻蚀出窗口3，如图1b所示；再利用激光钻孔机对准所述窗口3发射激光4进行烧蚀，如图1c所示；最终，烧蚀后的基板形成微导孔5，如图1d所示。

众所周知，在刻蚀处理过程中，至少需要前处理、设置感光材料、曝光、显影、刻蚀、去膜等工艺步骤，流程长、成本高；另外，在刻蚀过程中，干膜、底片的伸缩变形会导致开孔位置不精确，影响整个基板层激光开孔的质量。

发明内容

本发明提供一种基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板，以解决现有的基板层激光开孔方法流程长、成本高以及开孔位置精度不足的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供基板层激光开孔方法，其步骤包括：

S1：将基板进行黑氧化处理；

S2：对基板进行激光钻孔。

较佳地，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。

较佳地，在S2步骤中，以所述上层铜箔为入射面对基板进行激光钻孔。

较佳地，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。

本发明还提供了一种用于上述的基板层激光开孔方法的基板，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。

较佳地，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。

本发明提供的基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板，该方法的步骤包括：S1：将基板进行黑氧化处理；S2：对基板进行激光钻孔。本发明通过将基板黑氧化处理的方式使得基板表面的铜箔能够吸收大量的激光，所述大量激光转化后的热量能够将铜箔融化，达到一次性将铜箔和有机介层都烧蚀掉的效果，流程短、成本低；且本发明省略了刻蚀的工艺步骤，利用激光钻孔机直接定位钻孔，不会出现定位偏差，进而导致开孔位置不准确的问题。

附图说明

图1a至1d为现有的基板层激光开孔方法中各步骤中基板的状态示意图；

图2为本发明一具体实施方式的基板层激光开孔方法的流程图；

图3a至3d为本发明一具体实施方式的基板层激光开孔方法中各步骤中基板的状态示意图。

图1a至1d中：1-铜箔、2-有机介层、3-窗口、4-激光、5-微导孔；

图2至3d中：10-上层铜箔、20-有机介层、30-底层铜箔、40-黑化层、50-激光、60-微导孔。

具体实施方式

为了更详尽的表述上述发明的技术方案，以下列举出具体的实施例来证明技术效果；需要强调的是，这些实施例用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。

请参考图2和图3a至3d，本发明提供的基板层激光开孔方法，其步骤包括：

S1：将基板进行黑氧化（Black Oxide）处理，具体地，该步骤中需将整个基板浸入黑氧化溶液中，所述黑氧化溶液的具体成分和配比均采用现有技术，此处不再赘述，进行黑氧化处理后，基板的上下表面会产生黑化层40，可以消除表面反光。

S2：对基板进行激光50钻孔，具体地，直接利用激光钻孔机对准定位好的位置发射激光4进行烧蚀，由于基板表面的铜箔上覆盖有消除表面反光的黑化层40，所述黑化层40能够大量吸收激光50，激光50转化为足够的热量将上层铜箔10烧蚀掉，达到一次性将上层铜箔10和有机介层20都烧蚀掉的效果，最终形成微导孔60，流程短、成本低；且本发明省略了刻蚀的工艺步骤，利用激光钻孔机直接定位钻孔，不会出现定位偏差，进而导致开孔位置不准确的问题。