[发明专利]用于制造半导体芯片的承载板无效
| 申请号： | 201310603846.X | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103915349A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李在九;安正贤 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 芯片 承载 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造半导体芯片的承载板，所述承载板包括：
芯片保持区域，被设置在所述承载板的预定区域中，并且在所述芯片保持区域中形成用于将所述半导体芯片插入并固定至金属板的多个通孔；以及
吸附区域，被设置在所述芯片保持区域的外侧部分中并且用于通过吸附衬垫来吸附和固定，
其中，在所述吸附区域的上表面和下表面中形成多个非直状的沟槽，所述多个非直状的沟槽用于增加所述金属板与硅之间的粘附力。
2.根据权利要求1所述的承载板，其中，通过使用不同于全蚀刻法的，半蚀刻法来形成所述多个非直状的沟槽。
3.根据权利要求1所述的承载板，其中，当在所述吸附区域的所述上表面和所述下表面中形成所述多个非直状的沟槽时，所述上表面和所述下表面的所述非直状的沟槽不是以所述多个非直状的沟槽彼此对应的位置形成，而是以所述多个非直状的沟槽以交错的方式交替的位置形成。
4.根据权利要求1所述的承载板，其中，所述多个非直状的沟槽以这样的方式形成：从底面越接近入口，所述多个非直状的沟槽的直径变得越小。
5.根据权利要求1所述的承载板，其中，所述多个非直状的沟槽以正方形、矩形、圆形、三角形、六边形或者其它不确定的形状中的任一种形成。
6.根据权利要求1所述的承载板，其中，所述金属板被用作基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
