[发明专利]用于制造半导体芯片的承载板无效
申请号: | 201310603846.X | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103915349A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 李在九;安正贤 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/673 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 芯片 承载 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年12月28日提交的题为“Carrier Plate for Manufacturing Semiconductor Chip”的韩国专利申请第10-2012-0156858号的优先权,其全部内容通过引用结合于本申请中。
技术领域
本发明涉及一种用于制造半导体芯片的承载板,更具体地,涉及一种用于制造具有当硅形成时用于增强基底(板)与承载板的硅之间的粘附力的构件的半导体芯片的承载板。
背景技术
承载板是在制造小芯片的过程期间用于涂覆诸如多层陶瓷电容器(MLCC)的小芯片的两端上的外部电极的芯片固定设备。当外部电极被涂覆时,将各个部分吸附在真空中以平坦化并固定承载板以实现均一的质量。如果由于硅与基底(板)之间的低粘附力而出现凸起或脱落,则其不可以被用作承载板。
按照惯例,如图1A和图1B中所示,可通过穿过在具有真空吸附面的吸附区域120的基底(金属板)100中所形成的硅固定孔120s来连接基底板(金属板)100两侧的硅101。这个连接部分用作固定基底板(金属板)100两侧的硅101。此外,硅101被连接至形成在芯片保持区域110中的芯片固定孔110c并且硅101被连接至芯片105,并且这样无需进行考虑。然而,在对于仅存在硅101的区域,芯片固定孔110c是必不可少的情况下,产生另外的孔以穿过硅101。
然而,这种传统的方法难以增强硅的外侧部分的粘附力并且具有的用于增强粘附力的孔的总面积是有限的。因此,最重要的是传统的方法不可以增强硅的外侧部分的粘附力,传统的方法具有有限的孔数量和孔密度,并且具有孔的数量越多,基底的刚性越低的问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)韩国专利公开第10-2011-0072507号
(专利文献2)韩国专利公开第10-2001-0030200号
发明内容
本发明的一个目的是提供了一种用于制造半导体芯片的承载板,该承载板通过使用不同于传统的全蚀刻法的半蚀刻法以非直状的结构处理承载板的芯片保持区域外部的吸附区域的表面,从而当硅形成时增强基底(板)与承载板的硅之间的粘附力。
根据本发明的示例性实施方式,提供了一种用于制造半导体芯片的承载板,该承载板包括:芯片保持区域,被设置在承载板的预定区域中并且在芯片保持区域中形成用于将半导体芯片插入并固定至金属板的多个通孔;以及吸附区域,被设置在芯片保持区域的外侧部分中并且用于通过吸附衬垫吸附与固定,其中,在吸附区域的上表面和下表面中形成用于增加基底(金属板)与硅之间的粘附力的多个非直状的沟槽。
多个非直状的沟槽可通过使用不同于全蚀刻法的半蚀刻法来形成。
当在吸附区域的上表面和下表面中形成多个非直状的沟槽时,上表面和下表面的非直状的沟槽可以不以多个非直状的沟槽彼此对应的位置形成而是以多个非直状的沟槽交错的方式而交替的位置形成。
多个非直状的沟槽可以以这样的方式形成:从底面越接近入口,非直状的沟槽的宽度变得越小。
多个非直状的沟槽可以以正方形、矩形、圆形、三角形、六边形或者其它不确定的形状中的任何一种来形成。
附图说明
图1A是用于制造半导体芯片的传统承载板的结构的平面图;
图1B是用于制造半导体芯片的传统承载板的结构的截面图;
图2A是根据本发明实施方式的用于制造半导体芯片的承载板的结构的平面图;以及
图2B是根据本发明实施方式的用于制造半导体芯片的承载板的结构的截面图。
具体实施方式
本说明书和权利要求中所使用的术语和词汇不应被解释为一般的或词典上的含义,而应被理解为基于发明者为了以最佳的方式描述他们自己的发明能够适当地限定术语的概念的原则,具有满足本发明的技术构思的意义和概念。
在整个说明书中,词语“包括(comprise)”和诸如“包含(comprises)”或“含有(comprising)”的变型应理解为旨在包含所述元件,但不排除任何其它元件,除非明确说明并非如此。此外,在说明书中描述的术语“-er”、“-or”、“模块(module)”以及“单元(unit)”表示用于处理至少一个功能和操作的单元,并且可通过硬件组件或软件组件以及其组合加以实施。
现将参考附图详细描述本发明的示例性实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造