[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括半导体主体和集成在所述半导体主体中的至少两个器件单元，每个器件单元包括：

漂移区、源极区、以及布置在所述源极区和所述漂移区之间的主体区；

二极管区、以及所述二极管区和所述漂移区之间的pn结；

沟槽，具有第一侧壁、与第一侧壁相对的第二侧壁、以及底部，其中所述主体区邻接所述第一侧壁，所述二极管区邻接所述第二侧壁，并且所述pn结邻接所述沟槽的底部；

栅电极，布置在所述沟槽中并通过栅极电介质与所述主体区、所述二极管区和所述漂移区介电绝缘；

其中所述至少两个器件单元的二极管区在所述半导体主体的横向方向上远离。

2.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括：源电极，电连接到每个器件的源极区和二极管区。

3.根据权利要求2的半导体器件，其中每个二极管区包括：

第一二极管区，与所述漂移区形成pn结；

第二二极管区，比所述第一二极管区更高地掺杂并连接到所述源电极。

4.根据权利要求3的半导体器件，其中所述第二二极管区邻接所述沟槽的第二侧壁。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中所述至少两个器件单元共享所述漂移区。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中每个器件单元进一步包括漏极区，所述漏极区在所述半导体主体的垂直方向上邻近所述漂移区并远离所述二极管区。

7.根据权利要求1的半导体器件，其中所述至少两个器件单元共享所述漏极区。

8.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述至少两个器件单元是邻近的，并且

其中一个器件单元的二极管区邻接另一个器件单元的主体区。

9.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述半导体主体包括SiC晶体，以及

其中所述沟槽的第一侧壁与所述SiC晶体的c轴对齐。

10.根据权利要求9的半导体器件，其中所述半导体主体的第一表面和第一表面之间的角度在80°和89°之间。

11.一种生产半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体主体，所述半导体主体包括漂移区层、邻接漂移区层的主体区层、和邻接主体区层且形成所述半导体主体的第一表面的源极区层；

形成至少两个二极管区，使得每个二极管区从所述第一表面延伸通过所述源极区层和所述主体区层到所述漂移区层中，其中每个二极管区和所述漂移区层形成一个pn结；

形成至少两个沟槽，每个沟槽具有第一侧壁、与第一侧壁相对的第二侧壁、以及底部，使得每个沟槽在一个侧壁上邻接所述主体区层，在所述第二侧壁上邻接一个二极管区以及在所述底部上邻接一个pn结；

在每个沟槽中形成栅电极和栅极电介质，所述栅极电介质将所述栅电极与所述半导体主体介电绝缘；

其中在形成所述二极管区之后保持的所述源极区层的区段形成源极区，并且其中在形成所述二极管区之后保持的所述主体区层的区段形成主体区。

12.根据权利要求11的方法，进一步包括：

在所述第一表面上形成绝缘层；

在每个二极管区和每个源极区上方所述绝缘层中形成第一接触开口；以及

形成源电极，所述源电极在每个第一接触开口中电连接到所述源极区和所述二极管区。

13.根据权利要求12的方法，进一步包括：

在每个栅电极上方所述绝缘层中形成第二接触开口；以及

形成栅极连接电极，所述栅极连接电极在每个第二接触开口中电连接到所述栅电极。

14.根据权利要求11的方法，其中所述沟槽是细长的沟槽。

15.根据权利要求11的方法，

其中所述半导体主体包括SiC晶体，以及

其中所述沟槽被形成为使得所述沟槽的第一侧壁与所述SiC晶体的c轴对齐。

16.根据权利要求15的方法，其中所述第一沟槽被形成为使得所述半导体主体的第一表面和第一表面之间的角度在80°和89°之间。