[发明专利]低温快速烧成陶瓷砖及生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种低温快速烧成陶瓷砖及生产工艺。

背景技术

CN200410079020.9公开了“一种利用抛光废料生产陶瓷砖的方法”,它的目的是对目前陶瓷行业大量产生的玻化砖抛光废料进行合理的重新利用。该技术方案: 将陶瓷行业玻化砖抛光后产生的废水、废渣汇集，经沉淀、压滤及陈腐处理后获得抛光废料，将10～70％的抛光废料、10～35％高温砂、10～35％的高岭土、10～30％的低温砂石混料入球磨机中湿法球磨，过250目筛余0.3～0.8％，除铁后将泥浆利用喷雾塔喷粉备用；然后，将所得干粉利用陶瓷压机干压成型；将成型后的陶瓷砖坯体在陶瓷辊道窑内烧成，烧成温度1140℃～1200℃，烧成周期40～75分钟。其不足之处是: 最终的产品也仅仅是一种轻质发泡砖而不是陶瓷砖，局限性较大。

发明内容

本发明的目的是针对目前陶瓷行业在抛光砖生产的磨抛工序产生的抛光废料，其颗粒细度分布在1.5～30微米之间，平均粒径在6微米，因抛光废渣中含有磨头带进的有树脂等有机物在烧成过程中的发泡反应，而提供了一种通过收集这些含微细颗粒的废水，经沉淀、压滤后，用于陶瓷砖生产的坯料配方中；充分利用抛光废渣颗粒细、比表面积大、烧成温度低的特点，加速烧成过程的物理化学反应，有效降低陶瓷砖的能源消耗，将抛光废弃物变废为宝，以及通过低温矿化剂的作用，使有机挥发份通过低温挥发并避免了在高温下的进一步反应，规避抛光废渣中磨头带进的有树脂等有机物在烧成过程中的发泡反应，在较低温度下完成陶瓷砖的烧成瓷化过程的低温快速烧成陶瓷砖生产工艺。本发明的另一目的是提供一种用于通过降低烧成温度、缩短烧成时间使瓷砖烧成过程中不起泡，规避了高温烧成的起泡温度区间，在有机物排出后，固相反应温度降低及矿化剂的作用下，使在有机挥发份通过低温挥发并避免在高温下的进一步反应，在较低温度下完成陶瓷砖的烧结过程的低温快速烧成陶瓷砖。

本发明的技术解决方案是所述低温快速烧成陶瓷砖，其特殊之处在于：所述陶瓷砖坯料中至少一种是抛光砖生产在磨抛过程所产生的微细颗粒料；通过收集抛光工序所产生的含微细颗粒的废水，经沉淀、压滤处理后获得抛光废料，该陶瓷砖坯料按重量百分比由以下组份组成：

抛光废料48%～73%    　　瓷砂5%～20%      

粘土20%～27%　　　　    矿化剂2%～5%　。    

作为优选：

所述陶瓷砖坯料按重量百分比，进一步由以下组份组成：

抛光废渣65%       　　瓷砂13%       

粘土20%　　　　　   硅灰石2%　。     

作为优选：所述矿化剂选用一种或其组合：硅灰石、透辉石、滑石、锂辉石类的低温熔剂原料。

本发明的另一技术解决方案是所述低温快速烧成陶瓷砖的生产工艺，其特殊之处在于，包括以下工序：

⑴收集抛光废料；将压滤备用的抛光废料及其它原料折算成干重，按配方百分比配料，湿法球磨成浆料； 

⑵将泥浆喷雾干燥制成粉料，干压成型陶瓷砖坯；

⑶将砖坯干燥、施釉并表面进行装饰；

⑷将装饰坯入陶瓷辊道窑烧成；其烧成的温度：1050℃～1140℃，烧成周期35～75分钟，烧制成吸水率小于0.5%的瓷质砖。

作为优选：所述抛光废料的微细颗粒组成分布在1.5～30微米之间，平均粒径为6微米。

作为优选：所述工序⑶的表面装饰手段，依产品装饰效果，采用其中一种或其组合：喷釉、淋釉，丝网、胶辊、喷墨印花，布施干粒及成品砖釉面抛光工艺。

作为优选：所述生产方法进一步包括：

⑴收集备用的抛光废渣检测水分，配料折算成干基的坯料后入球磨机入球磨机，加水湿磨成泥浆，泥浆细度大于40微米的颗粒小于2.50%，泥浆流速：41秒/100ml；泥浆含水率：34.0%，经过筛、除铁入浆池储存备用； 

⑵将粉料的水分控制在6%～7%，容重0.98 g/ml，干压成型制成砖坯并干燥，对干燥坯的表面进行装饰，送入陶瓷辊道窑烧成；

⑶利用陶瓷辊道窑烧成，烧成温度1080℃，烧成周期45分钟，产品吸水率为0.50%以下，制成瓷质砖成品。

作为优选：所述抛光废料的收集方法包括：

⑴收集粗抛、精抛工序产生的含微细颗粒的废水；

⑵废水由水沟入沉淀池、沉淀；

⑶沉淀池中加絮凝剂；

⑷一、二级沉淀池中的废水送磨边工序循环利用；

⑸三级沉淀池中的高浓度料浆送往压滤机，压滤成泥饼；