[发明专利]采用原边控制的反激拓扑结构电路

权利要求书

1.采用原边控制的反激拓扑结构电路，其特征在于：它包括积分电路，所述的积分电路连接在峰值电流比较器上，所述的峰值电流比较器连接在电感储能电路上，所述的电感储能电路连接在积分电路的输入端上，所述的电感储能电路包括桥式整流电路和变压器，所述的桥式整流电路输出端连接在变压器的第一原边Np上, 第一原边Np的另一端连接在N型场效应管的源极上，所述的变压器的第二原边Na的一端接地，另一端上串联有电阻R1和电阻R2，所述的电阻R1和电阻R2的公共端连接在峰值电流比较器上，所述的N型场效应管的栅极和漏极均连接在峰值比较器上，所述的N型场效应管的漏极通过电阻R3与地相连，所述的变压器的副边Ns一端接地，另一端与二极管D5的阳极相连，所述的副边Ns的接地端和二极管D5的阴极之间连接有电容Cout。

2.根据权利要求1所述的采用原边控制的反激拓扑结构电路，其特征在于：所述的峰值电流比较器包括运算放大器A2、触发器、下降沿检测电路和驱动电路，所述的运算放大器A2的同相输入端连接在N型场效应管的漏极上，所述的运算放大器A2的输出端连接在触发器的S端上，所述的下降沿检测电路和驱动电路分别连接在触发器的R端和Q端上，所述的驱动电路连接在N型场效应管的栅极上，所述的下降沿检测电路连接在电阻R1和电阻R2的公共端上。

3.根据权利要求2所述的采用原边控制的反激拓扑结构电路，其特征在于：所述的积分电路包括单刀双掷开关S1、电阻R6、电阻R5、运算放大器A1和P型场效应管，所述的运算运算放大器A1的输出端连接在P型场效应管的栅极上，所述的运算放大器A1的反相输入端通过电容C1连接在P型场效应管的源极上；所述的电阻R6上并联有电容C2，且一端通过电阻R5连接在P型场效应管的源极，另一端接地，所述的单刀双掷开关S1的两个不动端分别与地和P型场效应管的源极相连，所述的单刀双掷开关S1的动端通过电阻R4连接在运算放大器A1的反相输入端上。

4.根据权利要求1所述的采用原边控制的反激拓扑结构电路，其特征在于：所述的电阻R6和电阻R5的比值为3。