[发明专利]采用原边控制的反激拓扑结构电路

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，更具体的说是涉及一种采用原边控制的反激拓扑结构电路。

背景技术

近年来由于全球的绿色环保意识逐步提高，LED照明产品得到大力的开发，并开始逐渐走进千家万户。在LED照明产品中，AC-DC的LED驱动电源电路为LED提供电源，而由于LED（Light Emitting Diode）为电流型器件，发光亮度受电流影响较大，因此LED驱动电源需要为LED提供稳定的恒定电流输出。

目前的LED照明电源驱动中广泛采用临界电流导通模式(BCM)和断流控制模式(DCM)实现恒流输出控制。为了实现更高的电源效率，有的电源驱动芯片采用了准谐振控制模式，一种介于BCM和DCM之间的控制模式。

这种根据不同的电流导通模式以及所采用的系统拓扑结构，需要不同的控制芯片采用了各种不同的恒流算法和电路来实现输出恒流。这些不同的算法和电路大大增加了芯片研发的周期和复杂度，同时有的开环恒流算法还带来了低精度，差线调整率和负载调整率等问题。

发明内容

本发明提供一种采用原边控制的反激拓扑结构电路，其采用以原边控制的准谐振控制模式的反激拓扑结构电路，电路简单，使得该电路设计可用于芯片内部集成，与外围芯片参数无关，降低开发难度。

为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：

采用原边控制的反激拓扑结构电路，它包括积分电路，所述的积分电路连接在峰值电流比较器上，所述的峰值电流比较器连接在电感储能电路上，所述的电感储能电路连接在积分电路的输入端上，所述的电感储能电路包括桥式整流电路和变压器，所述的桥式整流电路输出端连接在变压器的第一原边Np上, 第一原边Np的另一端连接在N型场效应管的源极上，所述的变压器的第二原边Na的一端接地，另一端上串联有电阻R1和电阻R2，所述的电阻R1和电阻R2的公共端连接在峰值电流比较器上，所述的N型场效应管的栅极和漏极均连接在峰值比较器上，所述的N型场效应管的漏极通过电阻R3与地相连，所述的变压器的副边Ns一端接地，另一端与二极管D5的阳极相连，所述的副边Ns的接地端和二极管D5的阴极之间连接有电容Cout。

更进一步的技术方案是:

所述的峰值电流比较器包括运算放大器A2、触发器、下降沿检测电路和驱动电路，所述的运算放大器A2的同相输入端连接在N型场效应管的漏极上，所述的运算放大器A2的输出端连接在触发器的S端上，所述的下降沿检测电路和驱动电路分别连接在触发器的R端和Q端上，所述的驱动电路连接在N型场效应管的栅极上，所述的下降沿检测电路连接在电阻R1和电阻R2的公共端上。

所述的积分电路包括单刀双掷开关S1、电阻R6、电阻R5、运算放大器A1和P型场效应管，所述的运算运算放大器A1的输出端连接在P型场效应管的栅极上，所述的运算放大器A1的反相输入端通过电容C1连接在P型场效应管的源极上；所述的电阻R6上并联有电容C2，且一端通过电阻R5连接在P型场效应管的源极，另一端接地，所述的单刀双掷开关S1的两个不动端分别与地和P型场效应管的源极相连，所述的单刀双掷开关S1的动端通过电阻R4连接在运算放大器A1的反相输入端上。

所述的电阻R6和电阻R5的比值为3。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明采用以原边控制的准谐振控制模式的反激拓扑结构，该电路简单，使得该电路设计可用于芯片内部集成，与外围芯片参数无关，降低开发难度。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为本发明的峰值电流比较器和电感储能电路连接电路图。

图2为本发明的积分电路的电路图。

图3为本发明的峰值电流比较器的原理框图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]