[发明专利]硅基多结太阳能电池

权利要求书

1.一种硅基多结太阳能电池，包括一个多晶硅或单晶硅PN结电池及叠加其上的多个同向薄膜PN结电池，及顶层和末层正负电极层，其特征在于，在末层电极层上设有硅基层，在硅基层上通过扩散掺杂形成多晶硅或单晶硅PN结层，在多晶硅或单晶硅PN结与顶层电极层之间设有多个同向薄膜PN结层，各PN结层之间设有连接层。

2.如权利要求1所述的硅基多结太阳能电池，其特征在于：所述硅基层是30～500微米厚的P型或N型单晶硅或多晶硅半导体薄片。

3.如权利要求1所述的硅基多结太阳能电池，其特征在于：所述扩散层是在硅基层表面扩散或制膜形成的PN结层，厚度为300～2000纳米。

4.如权利要求1所述的硅基多结太阳能电池，其特征在于：所述多个PN结层各PN结的P区与N区次序相同，即所有PN结的方向一致。

5.如权利要求1所述的硅基多结太阳能电池，其特征在于：所述多个薄膜PN结层是硅基掺杂的非晶或微晶P型半导体和N半导体的同质结，或是由硅基P型或N型掺杂的非晶或微晶半导体和碳化硅N型或P型掺杂的非晶或微晶半导体组成的异质结。

6.如权利要求1所述的硅基多结太阳能电池，其特征在于：所述多个薄膜PN结层的厚度在0.02～3微米之间，并且从顶层往末层依次增加，前一层薄膜PN结层的厚度为后一层薄膜PN结层的厚度的1/3-1/20。

7.如权利要求1所述的硅基多结太阳能电池，其特征在于：所述连接层为半导体材料、透明导电材料、氧化物或金属，厚度为0～2000纳米但不为零。

8.如权利要求1所述的硅基多结太阳能电池，其特征在于：所述半导体材料包括本征硅或碳化硅；所述透明导电材料包括TCO或ITO；所述氧化物包括氧化铝或氧化硅；所述金属包括铜、铝、银、镁、钨、镍或其合金。