[发明专利]包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个源极区域和漏极区域，在所述衬底上被形成为交替图案；

多个栅极，在所述多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于所述衬底之上；以及

第一多个交替的源极金属带和漏极金属带，形成于在所述衬底上方的第一金属层中，并且与所述多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一多个交替的源极金属带和漏极金属带中的所述源极金属带和漏极金属带被定向为平行于所述多个栅极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二多个交替的源极金属带和漏极金属带，形成于在所述第一金属层上方的第二金属层中，所述第二多个交替的源极金属带和漏极金属带覆在所述第一多个交替的源极金属带和漏极金属带中的所述源极金属带和漏极金属带上面并且与其平行，所述第一多个交替的源极金属带和漏极金属带中的所述源极金属带和漏极金属带通过穿过第一绝缘层的过孔电耦合至所述第二多个交替的源极金属带和漏极金属带中的相应所述源极金属带和漏极金属带。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括形成于在所述第二金属层上方的第三金属层中的源极接触和漏极接触，形成于所述第三金属层中的所述源极接触和漏极接触通过穿过第二绝缘层的过孔电耦合至所述第二金属层中的所述第二多个交替的源极金属带和漏极金属带中的源极金属带和漏极金属带。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括重分布层，形成于所述第三金属层上方并且通过穿过第三绝缘层的过孔电耦合至所述第三金属层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括多个金属柱，形成于所述重分布层上方并且与所述重分布层接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括传导图案化引线框架，通过所述多个金属柱电耦合至所述重分布层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述半导体器件用包封剂进行封闭并且所述传导图案化引线框架的多个部分被暴露以用作用于所述半导体器件的外部接触。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括栅极金属带，形成于所述第一金属层中，并且被定向为垂直于所述多个栅极并且电耦合至所述多个栅极。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括在所述衬底的外围处的多个栅极驱动器，电耦合至所述栅极金属带。

11.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上将多个源极区域和漏极区域形成为交替图案；

在所述多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地在所述衬底之上形成多个栅极；并且

在所述衬底上方的第一金属层中形成第一多个交替的源极金属带和漏极金属带，并且所述第一多个交替的源极金属带和漏极金属带与所述多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述第一金属层上方的第二金属层中形成第二多个交替的源极金属带和漏极金属带，所述第二多个交替的源极金属带和漏极金属带覆在所述第一多个交替的源极金属带和漏极金属带中的所述源极金属带和漏极金属带上面并且与其平行，所述第一多个交替的源极金属带和漏极金属带中的所述源极金属带和漏极金属带通过过孔电耦合至所述第二多个交替的源极金属带和漏极金属带中的相应所述源极金属带和漏极金属带。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括在所述第二金属层上方的第三金属层中形成源极接触和漏极接触，形成于所述第三金属层中的所述源极接触和漏极接触通过过孔电耦合至所述第二金属层中的所述第二多个交替的源极金属带和漏极金属带中的源极金属带和漏极金属带。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述第三金属层上方形成重分布层；

在所述重分布层上方并且与所述重分布层接触形成多个金属柱；

将传导图案化引线框架通过所述多个金属柱耦合至所述重分布层；并且

用包封剂封闭所述半导体器件，其中所述传导图案化引线框架的多个部分被暴露以用作用于所述半导体器件的外部接触。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括:

形成栅极金属带，所述栅极金属带在所述第一金属层中，并且被定向为垂直于所述多个栅极并且电耦合至所述多个栅极；以及

将在所述衬底的外围处的多个栅极驱动器耦合至所述栅极金属带。