[发明专利]薄膜太阳能电池CIGS吸收层的硒化方法

权利要求书

1.薄膜太阳能电池CIGS吸收层的硒化方法，其包括以下步骤：

（1）制备硒蒸气；

（2）通过输送带将吸收层衬底输送至预热区预热；

（3）经预热的衬底输送至具有惰性气体保护的硒化区，同时将硒蒸气导入硒化区，向移动的衬底上喷射硒蒸气；

（4）喷涂有硒的衬底在硒化区反应；

（5）反应完成后，由输送带将衬底输送至冷却区进行冷却，然后将其输出。

2.根据权利要求1所述的硒化方法，其特征在于：制备硒蒸气时，先将硒源加热成硒蒸气，然后将硒蒸气进行裂解，再将裂解的硒蒸气导入硒化区。

3.根据权利要求1所述的硒化方法，其特征在于：预热区温度维持在630℃--680℃，并使衬底在该区保温15s—20s。

4.根据权利要求1所述的硒化方法，其特征在于：硒化区依次分为喷涂段、反应段和进气段，衬底在喷涂段移动时，向其上喷射硒蒸气；喷射完成后，衬底输送至反应段进行反应，反应完成后再输送至冷却段。

5.根据权利要求4所述的硒化方法，其特征在于：在衬底进入喷涂区之前，先向进气段通入惰性气体，惰性气体依次经进气段、反应段、喷涂段后排出。

6.根据权利要求4所述的硒化方法，其特征在于：硒化区的温度维持在830℃--880℃，衬底在反应段静置2min—4min。

7.根据权利要求1所述的硒化方法，其特征在于：所述冷却区的降温速率为25℃/s--35℃/s。