[发明专利]非挥发性存储器及其校调方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，其特征在于，包括：配置信息存储单元、控制逻辑单元、测试模式控制模块和检测电路，其中：

所述检测电路与所述控制逻辑单元相连，用于实时检测非挥发性存储器的工作状态信息，根据所述工作状态信息生成对应的校调信息，并将所述校调信息输出至控制逻辑单元；

所述控制逻辑单元，用于将所述校调信息与标准参考信息进行比较，当所述校调信息与标准参考信息不一致时，根据所述校调信息对非挥发性存储器进行校调，其中，所述标准参考信息为所述非挥发性存储器的初始状态信息；

测试模式控制模块，用于控制所述控制逻辑单元将所述校调信息存储于所述配置信息存储单元。

2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述工作状态信息为非挥发性存储器工作时的工艺角和温度状态信息。

3.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述控制逻辑单元，进一步用于当所述校调信息与标准参考信息不一致时，产生控制信号，所述控制信号用于激活所述测试模式控制模块。

4.根据权利要求1-3任一项所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述校调信息是对非挥发性存储器整个电路中的电流、电压、电容容值或MOS管数量进行校调的信息。

5.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述测试电路包括：第一电流源、第二电流源、第一PMOS管、第一NMOS管、电压-电流转换器、电流比较器、锁存器组和校调信息编码器，其中：

所述第一电流源的输入端与电源相连，所述第一电流源的输出端与所述第一PMOS管的源极相连，所述第一PMOS管的漏极与接地端相连，所述第一PMOS管的栅极和漏极相接；

所述第二电流源的输入端与电源相连，所述第二电流源的输出端与所述第一NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极与接地端相连，所述第一NMOS管的漏极和栅极相接；

所述第一PMOS管的源极与所述电压-电流转换器的输入端相连，用于将所述第一PMOS管源极的电压转换为第一电流；

所述电流比较器的第一输入端与所述电压-电流转换器的输出端相连，所述电流比较器的第二输入端与所述第一NMOS管的栅极相连，所述电流比较器用于将所述第一电流比例镜像得到n个第一镜像电流，以及将所述第一NMOS管中的电流比例镜像得到的n个第二镜像电流，并将所述n个第一镜像电流分别与对应的所述n个第二镜像电流进行比较，得到n个比较结果，其中，n为大于2的正整数；

所述锁存器组的输入端与所述电流比较器的n个输出端相连，用于锁存所述电流比较器输出的n个比较结果；

所述校调信息编码器的输入端与所述锁存器组的输出端相连，所述校调信息编码器用于将所述n个比较结果进行编码生成数字校调信息，并提供给所述控制逻辑单元。

6.根据权利要求5所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述电压-电流转换器包括：第二NMOS管和第二PMOS管，其中：

所述第二NMOS管的栅极为所述电压-电流转换器的输入端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管漏极与所述第二PMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的漏极与栅极相接，所述第二PMOS管的栅极为所述电压-电流转换器的输出端。

7.根据权利要求6所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述电流比较器包括：n个PMOS管和n个NMOS管，且n为大于2的整数，其中：

n个PMOS管的源极均与直流电源相连，n个PMOS管的栅极相连作为电流比较器的第一输入端，n个NMOS管的源极均与接地端相连，n个NMOS管的栅极相连作为电流比较器的第二输入端；

n个PMOS管的漏极分别与n个NMOS管中对应的NMOS管的漏极相连作为所述电流比较器的输出端。

8.一种校调方法，应用于非挥发性存储器，其特征在于，该方法包括：

检测所述非挥发性存储器的工作状态信息，并依据所述工作状态信息生成对应的校调信息；

比较所述校调信息和标准参考信息，当所述校调信息与标准参考信息不一致时，将所述校调信息存储于配置信息存储单元；

根据所述校调信息对所述非挥发性存储器进行校调。

9.根据权利要求8所述的校调方法，其特征在于，还包括：

读取所述配置信息存储单元中的校调信息，根据所述校调信息对非挥发性存储器进行校调。