[发明专利]非挥发性存储器及其校调方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种非挥发性存储器及其校调方法，属于半导体存储器领域。

背景技术

非挥发性存储器由于受工艺角和工作环境的温度变化等因素的影响，其性能会产生一定量的偏移，即非挥发性存储器电路中的电压、电流等会发生变化，因此，需要对非挥发性存储器进行校调，才能使非挥发性存储器达到初始设计指标要求。

传统的非挥发性存储器电路结构如图1所示，主要包括：存储阵列（Cell Array）、配置信息存储单元（NVR）、行译码电路（X decoder）、列译码电路（Y decoder）、控制逻辑（Control Logic）、输入输出缓冲器（IO Buffer）、灵敏放大器（SA）、地址缓冲器（Address Buffer）、测试模式控制模块（Test Mode）、电压电流外部接口（V/I Monitor）等。

传统的非挥发性存储器在进行校调时，必须通过与电压电流外部接口连接的外部设备输入指令，使非挥发性存储器进入测试模式并获得校调信息，然后再根据获得的校调信息进行校调。这种校调方法需要不断从外部输入指令，测试时间长，测试设备和人工成本相对较高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种非挥发性存储器及其校调方法，在传统的非挥发性存储器的电路中加入检测电路，通过检测电路实时检测非挥发性存储器的工作状态信息，并根据所述工作状态信息生成对应的校调信息，然后再根据所述校调信息对非挥发性存储器进行校调，从而实现了非挥发性存储器的自动校调，技术方案如下：

一种非挥发性存储器，包括：配置信息存储单元、控制逻辑单元、测试模式控制模块和检测电路，其中：

所述检测电路与所述控制逻辑单元相连，用于实时检测非挥发性存储器的工作状态信息，根据所述工作状态信息生成对应的校调信息，并将所述校调信息输出至控制逻辑单元；

所述控制逻辑单元，用于将所述校调信息与标准参考信息进行比较，当所述校调信息与标准参考信息不一致时，根据所述校调信息对非挥发性存储器进行校调，其中，所述标准参考信息为所述非挥发性存储器的初始状态信息；

测试模式控制模块，用于控制所述控制逻辑单元将所述校调信息存储于所述配置信息存储单元。

优选的，所述工作状态信息为非挥发性存储器工作时的工艺角和温度状态信息。

优选的，所述控制逻辑单元，进一步用于当所述校调信息与标准参考信息不一致时，产生控制信号，所述控制信号用于激活所述测试模式控制模块。

优选的，所述校调信息是对非挥发性存储器整个电路中的电流、电压、电容容值或MOS管数量进行校调的信息。

优选的，所述测试电路包括：第一电流源、第二电流源、第一PMOS管、第一NMOS管、电压-电流转换器、电流比较器、锁存器组和校调信息编码器，其中：

所述第一电流源的输入端与电源相连，所述第一电流源的输出端与所述第一PMOS管的源极相连，所述第一PMOS管的漏极与接地端相连，所述第一PMOS管的栅极和漏极相接；

所述第二电流源的输入端与电源相连，所述第二电流源的输出端与所述第一NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极与接地端相连，所述第一NMOS管的漏极和栅极相接；

所述第一PMOS管的源极与所述电压-电流转换器的输入端相连，用于将所述第一PMOS管源极的电压转换为第一电流；

所述电流比较器的第一输入端与所述电压-电流转换器的输出端相连，所述电流比较器的第二输入端与所述第一NMOS管的栅极相连，所述电流比较器用于将所述第一电流比例镜像得到n个第一镜像电流，以及将所述第一NMOS管中的电流比例镜像得到的n个第二镜像电流，并将所述n个第一镜像电流分别与对应的所述n个第二镜像电流进行比较，得到n个比较结果，其中，n为大于2的正整数；

所述锁存器组的输入端与所述电流比较器的n个输出端相连，用于锁存所述电流比较器输出的n个比较结果；

所述校调信息编码器的输入端与所述锁存器组的输出端相连，所述校调信息编码器用于将所述n个比较结果进行编码生成数字校调信息，并提供给所述控制逻辑单元。

优选的，所述电压-电流转换器包括：第二NMOS管和第二PMOS管，其中：

所述第二NMOS管的栅极为所述电压-电流转换器的输入端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管漏极与所述第二PMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的漏极与栅极相接，所述第二PMOS管的栅极为所述电压-电流转换器的输出端。