[发明专利]一种LED散热结构无效
申请号: | 201310627481.4 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103644549A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 郑怀文;杨华;卢鹏志;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | F21V29/00 | 分类号: | F21V29/00;H01L33/64 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 散热 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种散热结构,尤其涉及一种LED散热结构。
背景技术
由于LED灯具有高亮度、节能等功效,在各种场合使用越来越多,但由于发热量较大,常需要散热来保证其正常工作,目前制约着LED光源发展的最大技术壁垒就是LED封装的热传导和热沉降问题,即LED的散热问题。LED做为光源来说,长时间的工作也会产生大量的热量积累,这就要求LED光源的散热器件工作效率良好,能由较短的传导途径去疏导热能,尽量降低温度过高给芯片带来的损害。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种LED散热结构,以解决现有的LED照明设备散热效果不佳的问题。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种LED散热结构,包括LED芯片1、散热材料2、粘结层3和散热基板4,其中,散热材料2形成于LED芯片1的侧面,且LED芯片1的底面及散热材料2通过粘结层3粘结于散热基板4之上。
优选地,所述LED芯片1为正装芯片。
优选地,所述散热材料2为银浆、导热硅脂、金刚石、陶瓷、硅片、金锡焊片或金属。
优选地,所述散热基板4为蓝宝石、碳化硅、硅或氮化镓。
优选地,所述散热材料2形成于LED芯片1的侧面,是散热材料2形成于LED芯片1的一个侧面、两个侧面直至所有侧面。
优选地,所述散热材料2形成于LED芯片1的侧面,是散热材料2形成于LED芯片1侧面的全部或侧面的部分。
优选地,所述LED芯片1侧面与散热材料2的连接方式为直接连接、加热连接、通过粘结剂连接或压合粘结。
(三)有益效果
从上述方案可以看出,本发明具有以下有益效果:
1、本发明提供的LED散热结构,由于增加了散热面积,降低了平面的热流密度,增加了平面热流密度的均匀度,所以能够解决现有的LED照明设备散热效果不佳的问题。
2、本发明提供的LED散热结构,增加了散热面积。从热学模拟的角度来看,芯片侧面与底面交界处的热流密度是最大的,此处增加了散热材料,可以有效的传导热量。
3、本发明提供的LED散热结构,降低了平面的热流密度,增加了平面热流密度的均匀度。由于添加了侧面导热材料,热流通过侧面材料先向侧向传导,再向芯片下方的散热基板传导,从而促进散热基板上的热流均匀分布,热流密度减小,从而减少整体热阻。
附图说明
图1是依照本发明实施例的LED散热结构的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
如图1所示,本发明提供的LED散热结构包括LED芯片1、散热材料2、粘结层3和散热基板4,其中,散热材料2形成于LED芯片1的侧面,且LED芯片1的底面及散热材料2通过粘结层3粘结于散热基板4之上。
LED芯片1为正装芯片,散热材料2可以为银浆、导热硅脂、金刚石、陶瓷、硅片、金锡焊片或金属等,散热基板4可以为蓝宝石、碳化硅、硅或氮化镓等。
散热材料2形成于LED芯片1的侧面,是散热材料2形成于LED芯片1的一个侧面、两个侧面直至所有侧面,同样,散热材料2也可以形成于LED芯片1侧面的全部或侧面的部分。
LED芯片1侧面与散热材料2的连接方式可以为直接连接、加热连接、通过粘结剂连接或压合粘结等。
在本发明的一个实施例中,请参照图1,该LED散热结构包括LED芯片1、侧面散热材料2、粘结层3和散热基板4,LED芯片1的侧面与散热材料2连接,同时LED芯片1及散热材料2通过粘结层3与散热基板4连接。LED芯片1为正装芯片,散热基板为蓝宝石。LED芯片的所有侧面均与散热材料2连接。散热材料2为银浆,LED芯片1侧面与散热材料2的连接方式为直接连接。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310627481.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种复合靶真空表面镀膜工艺
- 下一篇:无苯环保高亮地板漆