[发明专利]一种电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件制造方法，其特征在于,包括以下步骤：

a.制备薄膜基片；

b.制备基材浆料,所述基材浆料是与所述薄膜基片相匹配的材料；

c.在所述薄膜基片上制作导电电极；

d.在制有所述导电电极的所述薄膜基片上旋涂所述基材浆料，将具有流动性的基材浆料平整涂布在薄膜基片上；

e.将多个经过步骤a～d处理的薄膜基片叠层后成型。

2.如权利要求1所述的电子元件制造方法，其特征在于,步骤d包括：将所述基材浆料填充在所述薄膜基片表面凹陷的位置，然后使薄膜基片围绕垂直于所述薄膜基片表面的轴旋转，通过离心力使所述基材浆料分布在制有所述导电电极的所述薄膜基片表面，形成所述基材浆料与所述导电电极的顶部平齐的平整表面。

3.如权利要求2所述的电子元件制造方法，其特征在于,步骤d包括连续的两级旋涂过程，其中第一级旋涂过程中薄膜基片的旋转速率为1000r/min，优选的旋涂时间为18s～25s，第二级旋涂过程中薄膜基片的旋转速率为2000～2200r/min，优选的旋涂时间为20s。

4.如权利要求1至3任一项所述的电子元件制造方法，其特征在于,所述基材浆料的材料与所述薄膜基片相匹配，至少是指这两种材料成膜后，其烧结收缩率相同。

5.如权利要求1至3任一项所述的电子元件制造方法，其特征在于,步骤a包括：

a1.将重量百分比为35%～45%的Al₂O₃和重量百分比为55%～65%的硼硅玻璃的混合制备粉末状混合物；

a2.将所述粉末状混合物与酯类溶液搅拌混合，并加入有机粘合剂和分散剂搅拌，形成陶瓷浆料；

a3.涂布所述陶瓷浆料以形成所述薄膜基片。

6.如权利要求5所述的电子元件制造方法，其特征在于,所述基材浆料通过以下步骤制作：

b1.将重量百分比为35%～45%粉末状的Al₂O₃和重量百分比为55%～65%的硼硅玻璃的混合制备粉末状混合物;

b2.将所述粉末状混合物与去离子水搅拌混合，并加入水性粘合剂和分散剂搅拌，形成浆料，通过碱性物质调节浆料的pH在6.5～7.5。

7.如权利要求1至3任一项所述的电子元件制作方法，其特征在于：所述薄膜基片是氧化铝基片、铁氧体基片、玻璃膜片、PET膜片中的一种。

8.如权利要求7所述的电子元件制作方法，其特征在于：所述氧化铝基片是粉末状的Al₂O₃和粉末状的硼硅玻璃的混合物制作的氧化铝基片。

9.如权利要求1至3任一项所述的电子元件制作方法，其特征在于：步骤c包括：

c1.配制导电电极浆料，所述导电电极浆料是介电常数在0.016～0.025mm*ohm的银浆或铜浆；

c2.通过印刷或光刻法将导电浆料涂布在薄膜基片上，形成所述导电电极。

10.一种电子元件，其特征在于,所述电子元件使用权利要求1至9任一项所述的电子元件制作方法制成。