[发明专利]三维硅穿孔构建无效
| 申请号： | 201310629458.9 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855135A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 泽圭姜;翟军 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 谢栒;张玮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 穿孔 构建 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子器件，包括：
封装衬底；
内插件，其布置在所述封装衬底上并且电耦连到所述封装衬底；以及
多个裸片，其布置在所述内插件上并且电耦连到所述内插件。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述多个裸片以大致共面的结构进行安置。
3.根据权利要求1所述的电子器件，进一步包括在所述内插件的上表面上的重新分布层。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述内插件包括从所述上表面延伸到下表面的多个过孔。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述内插件是无源内插件。
6.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述内插件是有源内插件。
7.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述有源内插件包括基带部件、RF部件以及I/O控制器的功能性。
8.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述有源内插件包括RF部件和I/O控制器的功能性。
9.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述有源内插件包括I/O控制器的功能性。
10.根据权利要求1所述的电子器件，进一步包括布置在所述内插件和所述封装衬底之间的底部填充材料。
11.根据权利要求10所述的电子器件，其中：
所述内插件包括从所述内插件的前表面延伸到所述内插件的后表面的多个过孔；以及
所述封装衬底包括从所述封装衬底的前表面延伸到所述封装衬底的后表面的多个过孔。
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