[发明专利]半导体设备和电子设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年12月6日提交的日本在先专利申请第JP2012-267398号的权益，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体设备和一种电子设备，并且具体，涉及一种能够减少图像的噪声并能以高速执行算术处理的小尺寸改善的半导体设备以及一种包括该小尺寸改善的半导体设备的电子设备。

背景技术

对于包括图像传感器芯片的半导体封装，在过去已经应用了针对由于在图像传感器芯片的光接收区中不必要光的泄漏而造成的杂散光的防范措施。

尤其是，因为容易反射光的金属通常用于连接图像传感器芯片和封装基板的接合线，所以需要对接合线应用对杂散光的防范措施。因此，为了防止由接合线反射的光泄露进图像传感器芯片的光接收区中，在过去已经提供给防闪光板。

此外，近几年，随着电子设备的尺寸减小和性能的改善，包括图像传感器芯片的半导体封装期望具有更高的性能。例如，需要能够以比现有的半导体封装更快的速度执行算术处理的半导体封装。

另一方面，近几年，已经进行了半导体芯片工艺的改良，并且已经广泛使用由能够增加每单位面积的将被集成的晶体管的数量的新一代工艺制造的半导体芯片（称为新一代半导体芯片）。

通过利用该新一代半导体芯片，可以将算术处理的速度提高至比现有的半导体芯片的算术处理的速度更高并且减少功耗。因此，已经产生了包括新一代的半导体芯片作为外围电路单元的半导体封装，该外围电路单元在过去已经被结合在图像传感器芯片中。

然而，因为以高速执行算术处理的新一代半导体芯片具有高发热量，所以需要对新一代半导体芯片应用针对散热的防范措施。

例如，已经提出一种通过提供将半导体芯片和封装基板热耦接在一起的热传导构件来将从半导体芯片生成的热量转移至封装基板的技术（参见，例如：日本专利申请公开第2012-124305号）。

发明内容

然而，在包括新一代半导体芯片作为外围电路单元的半导体封装中，由作为外围电路单元的新一代半导体芯片反射的光有时泄露进图像传感器芯片的光接收区中。

在现有技术中，并未应用针对根据用作外围电路单元的该新一代半导体芯片的杂散光的充分的防范措施，因此有时由于杂散光而生成重影。

考虑到上述情况，已经提出本公开，期望提供包括小尺寸改善的图象传感器的半导体设备，其能够减少图像的噪声并能以高速执行算术处理。

根据本公开的第一实施方式，提供了一种半导体设备，包括：第一半导体芯片，其上形成有光电转换单元，该光电转换被配置为对在光接收区中所接收的光执行光电转换；第二半导体芯片，电连接至第一半导体芯片，所述第二半导体芯片被设置在第一半导体芯片的光接收区一侧上的表面上；以及防闪光板，设置在所述第二半导体芯片上，所述防闪光板被配置为阻挡光，所述防闪光板与第二半导体芯片接触。

防闪光板的在光接收区的一侧上的端部可以被设置为使得从第二半导体芯片的在光接收区一侧上的端部突出至少200μm。

防闪光板的在光接收区一侧上的端部可向下倾斜地弯曲。

防闪光板的在光接收区一侧上的端部可向下以直角弯曲。

散热树脂和用于散热的导体中的一个的膜可形成在防闪光板的在防闪光板与第二半导体芯片接触的一侧上的表面上。

根据本公开的第二实施方式，提供了一种电子设备，包括：半导体设备，该半导体设备包括：第一半导体芯片，其上形成有光电转换单元，该光电转换被配置为对在光接收区中在所接收的光执行光电转换；第二半导体芯片，电连接至第一半导体芯片，所述第二半导体芯片被设置在第一半导体芯片的在光接收区一侧上的表面上；以及防闪光板，设置在第二半导体芯片上，所述防闪光板被配置为阻挡光，所述防闪光板与第二半导体芯片接触。

在本公开的第一和第二实施方式中，在设置在第一半导体芯片的光接收区一侧上的表面上的第二半导体芯片上，设置被配置为阻挡光的防闪光板，并且防闪光板与第二半导体芯片接触，该第二半导体芯片电连接至第一半导体芯片，在所述第一半导体芯片上形成被配置为对在光接收区中所接收的光执行光电转换的光电转换单元。

根据本公开，可以提供一种包括小尺寸改善的图象传感器的半导体设备，其能够减少图像的噪声并能以高速执行算术处理。

如附图所示，根据以下本公开的最佳模式的实施方式的详细说明，本公开的这些以及其他的目标、特征与优点将变得显而易见。

附图说明

图1是示出了根据本公开的实施方式的半导体设备的配置实例的截面图；