[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法以及电子设备无效
申请号: | 201310629912.0 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103872063A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 榎修;宇高融;村田昌树;森本类 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种图像传感器,包括:
多个光电转换元件,被包括在层压体内,其中,至少一个所述光电转换元件包括有机光电转换元件;
其中,所述层压体包括彼此相对的第一表面和第二表面,
其中,至少所述层压体的所述第一表面包括弯曲的光入射表面,
其中,所述弯曲的光入射表面包括凹面,以及
其中,所述多个光电转换元件通过凹形光入射表面接收光。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述有机光电转换元件包括第一电极、有机光电转换膜以及第二电极,并且其中,所述第一电极、所述有机光电转换膜以及所述第二电极是柔性的。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,进一步包括柔性基板。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所有的所述光电转换元件均为有机光电转换元件。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括多个像素,其中,每个所述像素包括至少一个有机光电转换元件。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,进一步包括:
多个滤色器,其中,每个所述像素中的至少一个所述光电转换元件与滤色器相关联。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,对于每个像素,所述光电转换元件对不同波长组内的光敏感。
8.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,对于每个像素,所述光电转换元件被分层。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括多个像素,其中,每个所述像素包括至少一个有机光电转换元件和至少一个光电二极管。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,对于每个所述像素:
所述有机光电转换元件中的至少一个对绿光敏感,第一光电二极管接收已穿过所述有机光电转换元件的光并对蓝光敏感,并且第二光电二极管接收已穿过所述有机光电转换元件和所述第一光电二极管的光并对红光敏感。
11.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括支撑构件,其中,所述支撑构件包括凹部和顶面,并且其中,所述层压体被连接至所述支撑构件的顶面。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,进一步包括布置在所述层压体和所述支撑构件的一部分之间的致动器。
13.一种电子设备,包括:
光学系统;
固态图像传感器,其中,所述固态图像传感器接收来自所述光学系统的光,并且包括:
凹形光入射表面;
多个像素,其中,每个所述像素包括至少一个有机光电转换元件;
快门单元,其中,所述快门单元控制来自所述光学系统的光对所述固态图像传感器的照射;
驱动部,其中,所述驱动部控制所述快门单元的操作和所述固态图像传感器的传输操作;以及
信号处理部,其中,所述信号处理部对从所述固态图像传感器输出的信号执行信号处理操作。
14.根据权利要求13所述的设备,其中,所有的所述光电转换元件均为有机光电转换元件。
15.根据权利要求14所述的设备,其中,所述固态图像传感器是柔性的。
16.根据权利要求13所述的设备,其中,除了所述至少一个有机光电转换元件之外,每个所述像素包括至少一个光电二极管。
17.一种制造图像传感器的方法,所述图像传感器具有弯曲的光入射表面和像素,所述像素的每一个包括至少一个有机光电转换元件,所述方法包括:
提供支撑构件;
形成层压体,其中,形成所述层压体包括:
提供基板;
在所述基板上形成多个第一电极,其中,每个所述第一电极通过像素间绝缘膜彼此分隔开;
在所述第一电极和所述像素间绝缘膜上形成有机光电转换层;
在所述有机光电转换层上形成第二电极;
在所述层压体中形成弯曲形状,其中,形成所述弯曲形状包括:
将所述层压体连接至所述支撑构件;
软化所述层压体。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述层压体形成在所述支撑构件上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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