[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法以及电子设备无效
申请号: | 201310629912.0 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103872063A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 榎修;宇高融;村田昌树;森本类 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
技术领域
本公开涉及使用有机光电转换材料的固态图像拾取装置、制造固态图像拾取装置的方法以及电子设备。
背景技术
在诸如CCD(电荷耦合装置)图像传感器和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器的固态图像拾取装置中,诸如光电二极管、电容器以及浮置扩散的部件形成在晶体硅基板中。对于诸如电容器和晶体管的电子装置,已经提出了通过使用有机半导体提供柔性的技术(例如,见日本未审查专利申请公开第2006-90983号)。对于使用无机半导体的光电二极管,在日本未审查专利申请公开第2004-63776号中已经提出了通过经过超薄处理而具有柔性的固态图像拾取装置。
此外,近几年,也已经研发了使用有机光电转换材料用于光电转换层的有机半导体的固态图像拾取装置(例如,见日本未审查专利申请公开第2008-258474号和第2011-138927号)。
发明内容
对于使用有机光电转换材料的固态图像拾取装置,例如,期望实现允许用于执行光学校正(诸如“阴影”校正)的光学设计(或图像校正处理部等)的简化的装置。
期望提供固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法以及电子设备,在它们中的每个中允许简化光学设计。
根据本公开的实施方式,提供了一种具有包括在层压体中的多个光电转换元件的图像传感器。至少一个光电转换元件包括有机光电转换元件。所述层压体包括彼此相对的第一表面和第二表面。至少所述层压体的第一表面包括弯曲的光入射表面。弯曲的光入射表面具有凹面。多个光电转换元件通过层压体的凹形光入射表面接收光。
根据进一步的实施方式,有机光电转换元件包括第一电极、有机光电转换膜以及第二电极。第一电极和有机光电转换膜以及第二电极是柔性的。基板也可以是柔性的。
根据本公开的至少一些实施方式,所有的光电转换元件是有机光电转换元件。根据其他实施方式,图像传感器包括多个像素,其中,每个像素包括至少一个有机光电转换元件。
本公开的实施方式还可包括多个滤色器,并且在每个像素中的光电转换元件中的至少一个可与滤色器相关联。根据其他实施方式,对于每个像素,光电转换元件对在不同波长组的光敏感。根据进一步的实施方式,每个像素可包括分层的光电转换元件。根据进一步的实施方式,图像传感器的像素可包括至少一个有机光电转换元件和至少一个光电二极管。有机光电转换元件中的至少一个对绿光敏感,第一光电二极管可接收穿过有机光电转换元件的光并对蓝光敏感,以及第二光电二极管可接收穿过有机光电转换元件和第一光电二极管的光并对红光敏感。
根据其他实施方式,图像传感器可包括支撑构件。支撑构件可包括凹部和顶面。层压体可被连接至支撑结构的顶面。此外,图像传感器可包括布置在层压体和支撑构件的一部分之间的致动器。
根据本公开的进一步的实施方式,提供了一种电子设备。所述设备包括光学系统和接收来自光学系统的光的固态图像传感器。固态图像传感器包括凹形光入射表面和多个像素。每个像素包括至少一个有机光电转换元件。所述设备还包括控制来自光学系统的光对固态图像传感器的照射的快门单元。设置控制快门单元的操作和固态图像传感器的传输操作的驱动部。此外,所述设备包括对从固态图像传感器输出的信号执行信号处理操作的信号处理部。
根据进一步的实施方式,电子设备可包括都是有机光电转换元件的光电转换元件。而且,包括在所述设备内的固态图像传感器可以是柔性的。根据其他实施方式,除了至少一个有机光电转换元件,每个像素包括至少一个光电二极管。
根据其他实施方式,提供了一种制造图像传感器的方法,所述图像传感器具有弯曲的光入射表面和像素,所述像素的每一个包括至少一个有机光电转换元件。所述方法包括提供支撑构件。所述方法进一步包括形成层压体。作为形成层压体的一部分,提供基板并在基板上形成多个第一电极。每个第一电极通过像素间绝缘膜彼此分隔开。在第一电极和像素间绝缘膜上形成有机光电转换层。此外,形成在有机光电转换层上的第二电极。然后在层压体中形成弯曲形状,其中,形成弯曲形状包括将层压体连接至支撑构件并软化层压体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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