[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包含： 

半导体迭层，包含第一半导体层，第二半导体层以及主动层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间，其中该半导体迭层具有第一表面； 

多个凹部，自该第一表面穿透该第一半导体层与该主动层，露出该第二半导体层； 

第一接触结构，位于该第一表面上，且与该第一表面欧姆接触； 

第二接触结构，位于该些凹部中与该第二半导体层欧姆接触； 

第一焊接部，位于该第一表面上，通过该第一接触结构与该第一半导体层电连结；以及 

第二焊接部，位于该第一表面上，通过该第二接触结构与该第二半导体层电连接； 

其中，该第一接触结构包含多个延伸电极，且该些多个延伸电极之间包含至少部分该第二接触结构。 

2.如权利要求1的半导体发光元件，还包含一透明基板，且该半导体迭层具有第二表面，相对于该第一表面，其中该透明基板位于该第二表面上。 

3.如权利要求第2的半导体发光元件，还包含一透明粘着层，位于该透明基板与该半导体迭层之间，其中该透明基板的折射率小于该透明粘着层的折射率，且该透明粘着层的折射率小于该第二半导体层的折射率。 

4.如权利要求1的半导体发光结构元件，其中该些多个凹部仅位于该第二焊接部与该第二半导体层之间。 

5.如权利要求1的半导体发光元件，其中该些多个延伸电极彼此相互平行且彼此分离。 

6.如权利要求1的半导体发光元件，其中该些多个凹部互相独立且该第二接触结构包含多个导电柱位于该些多个凹部中。 

7.如权利要求1的半导体发光元件，其中该第一接触结构与该第二接触结构最近的距离介于10μm～100μm之间。 

8.如权利要求1的半导体发光元件，还包含一反射层位于该些多个导电柱与该第二焊接部之间。 

9.如权利要求8的半导体发光元件，还包含一绝缘层在该反射层与该 半导体迭层之间。 

10.如权利要求9的半导体发光元件，其中该绝缘层位于该些多个导电柱与该第一半导体层及该主动层之间，将该些多个导电柱绝缘于该第一半导体层及该主动层。