[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件的结构。

背景技术

发光二极管（Light-emitting Diode；LED）目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图6所示，现有的LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以大部分的主动层1106被移除，导致发光效率降低。

此外，上述的LED还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图7为现有的发光装置结构示意图，如图7所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED1210粘结固定于次载体1202上并使LED1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以便发光装置的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层包含一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中半导体迭层具有一第一表面；多个凹部自第一表面穿透第一半导体层与主动层，露出第二半导体层；一第一接触结构位于第一表面上，且与第一表面欧姆接触；一第二接触结构位于些凹部中与第二半导体层欧姆接触；一第一焊接部位于第一表面上，通过第一接触结构与第一半导体层电连结；以及一第二焊接部位于第一表面上，通过第二接触结构与第二半导体层电连接；其中，第一接触结构包含多个延伸电极，至少部分的第二接触结构位于些多个延伸电极之间。

附图说明

图1为依本发明第一实施例的半导体发光元件I的结构示意图；

图2为依本发明第一实施例的半导体发光元件I上视图；

图3为依本发明第二实施例的半导体发光元件II示意图；

图4为依本发明第一实施例的半导体发光元件II上视图；

图5为依本发明另一实施例的结构示意图；

图6为现有的LED的剖视图；

图7为现有的发光装置结构示意图。

符号说明

1        半导体迭层          7         缝隙

10       主动层              8         基板

11       第一半导体层        9         粘结层

12       第二半导体层        600       球泡灯

13       第一表面            602       灯罩

14       第二表面            604       透镜

15       凹部                606       承载部

15A      走道                608       半导体发光元件

15B      走道                610       发光模块

15C      走道                612       灯座

151      侧壁                614       散热片

16       侧边                616       连接部

2        第二接触结构        1102      基板

3        第一接触结构        1104      n型半导体层

31        大正方形             1106      主动层