[发明专利]一种基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法

权利要求书

1.    一种基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于包括如下步骤：提取基因组DNA，将基因组DNA酶切成200-800 bp的片段；往酶切片段两端加接头进行PCR扩增，将PCR扩增产物和微卫星探针杂交；制备可以与微卫星探针结合的磁珠；制备磁场可控的微流控芯片；将磁珠、杂交混合物、洗脱液分别注入微流控芯片中，将含有SSR片段的DNA分离出来。

2.根据权利要求1所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的磁场可控的微流控芯片，包括三层：第一层是气阀控制层，用来控制溶液的流入和流出；第二层是流体层，控制流体流动；第三层是在ITO玻璃上PDMS封装的镍微结构，用来调控微通道内微区磁场分布。

3.根据权利要求2所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法其特征在于：所述的磁场可控的微流控芯片的制作方法包含如下步骤：

（1）制作气阀控制层：利用光刻技术，制作气阀控制层光刻胶模型，接着倒上预聚的PDMS，排除气泡，固化后，切下PDMS，打孔；

（2）制作流体层：制作流体层通道光刻胶模型的方法与制作气阀层方法一致，然后甩上一层PDMS，固化；

（3）将流体层和气阀控制层对准键合，键合牢固后，揭下来双层芯片，打孔；

（4）制作PDMS封装的镍微结构：在ITO导电玻璃上进行光刻和电镀，制作出光刻胶模型，在ITO导电玻璃上制作出镍微结构；然后用一层PDMS将镍微结构封装在里面；

（5）将流体层通道和含有PDMS封装的镍微结构对准，键合，形成永久键合的微流控芯片；

（6）组装成完整的微流控芯片，包括将半导体加热片放在在ITO玻璃下面，两个永磁铁放置在半导体加热片下方，位于流体通道两侧，温控探头放置在ITO玻璃和半导体加热片之间。

4.根据权利要求1所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的基因组DNA为真核生物的基因组DNA。

5.根据权利要求1所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的酶切为使用MseI进行酶切。

6.根据权利要求5所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的接头为MseI A：5’-TACTCAGGACTCAT-3’和MseI B：5’-GACGATGAGTCCTGAG-3’； 通过T4 DNA连接酶将接头加到酶切片段两端；对应的PCR扩增的引物为MseI-N：5’-GATGAGTCCTGAGTAAN-3’。

7.根据权利要求1所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的微卫星探针为5’端有biotin-T₁₀修饰的SSR；对应的可以与微卫星探针结合的磁珠为链霉亲和素修饰的磁珠。

8.根据权利要求1所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的杂交的条件为：95 ℃下变性5 min，然后在65 ℃下杂交1 h。

9.根据权利要求1所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的洗脱液包括TEN₁₀₀₀、0.2×SSC+0.1% SDS和TE。

10.根据权利要求1所述的基于磁场可控微流控芯片开发SSR标记的方法，其特征在于：所述的加热为加热至95 ℃。