[发明专利]一种SRAM型存储器的纠错电路

权利要求书

1.一种SRAM型存储器的纠错电路，其特征在于，包括：

编码模块，用于将数据信号运算生成校验位；

第一传输门模块，根据所述校验位与写操作控制信号运算生成伴随信息位的校验位；

第二传输门模块和异或操作模块，根据所述校验位与读操作控制信号运算生成检验向量；

纠错电路模块，根据检验向量查寻出错位，并进行纠错译码；

其中，若所述存储器是数据写入操作，则使用第一传输门模块将编码模块输出的校验位与写操作控制信号生成伴随信息位的校验位进行输出；若存储器是数据读取操作时，第二传输门模块和异或操作模块将编码模块输出的校验位与读操作控制信号运算生成检验向量，并配合纠错电路模块完成纠错译码；所述编码模块的输入端连接数据信号输入端及其反相信号输入端，所述编码模块的输出端输出运算生成的校验位；所述第一传输门模块的两个输入端分别连接所述编码模块的输出端以及写操作控制信号端，所述第一传输门模块的输出端输出伴随信息位的校验位；所述编码模块内部为汉明码编码规则；所述第二传输门模块的两个输入端分别连接所述编码模块的输出端以及读操作控制信号端，所述第二传输门模块的输出端、数据信号输入端和其反相信号输入端连接所述异或操作模块的输入端，所述异或操作模块的输出端输出检验向量。

2.根据权利要求1所述的SRAM型存储器的纠错电路，其特征在于，所述纠错电路模块的输入端连接所述异或操作模块的输出端，所述纠错电路模块的输出端连接数据信号输入端及其反相信号输入端。