[发明专利]具有低温度系数的电流源基准电路有效

专利信息
申请号: 201310642704.4 申请日: 2013-12-01
公开(公告)号: CN103631306A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 来新泉;李林;邵丽丽;田磊 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 具有 温度 系数 电流 基准 电路
【说明书】:

技术领域

发明属于电子电路技术领域,涉及模拟集成电路,特别是一种具有低温度系数的电流源基准电路。

背景技术

在模拟集成电路领域,电流源得到了广泛的应用,它是一个直流量,为芯片各个模块提供偏置,影响着芯片各模块的性能,如功耗,放大倍数,噪声,工作范围等。通常,我们希望产生一个与电源电压和工艺无关、具有特定的温度特性的直流电流,在大多数应用中,所要求的温度关系采用下面的三种形式中的一种:

(1)与绝对温度成正比;

(2)与绝对温度成反比;

(3)与温度无关。

在这里,与温度无关的电流源更符合大多数模拟集成电路的需求,因此得到了最广泛的应用。

图1显示了传统的电流源基准方框图,它包括运算放大器100,电阻R,低压NMOS管MN和电流镜单元;运算放大器100,其正向输入端a连接基准电压Vref,其反向输入端b通过电阻R连接到地,其输出端o连接到低压NMOS管MN的栅极;该低压NMOS管MN的漏极连接到电流源单元,其源极连接到运算放大器100的反向输入端b,从而构成负反馈环路,保证流过低压NMOS管MN的电流I1恒等于Vref/R。通过调节电流镜单元中MOS管的尺寸,以调节输出电流I2~IN的大小。通常,采用带隙结构可产生接近零温度系数的基准电压Vref,但由于电阻R具有特定的温度系数,使得流过低压NMOS管MN的输出电流I1随温度变化,这个输出电流通过电流镜镜像到电路的各个模块,从而影响到整个电路的性能。

发明内容

本发明的目的在于针对上述现有基准电流源的不足,提供一种具有低温度系数的电流源基准电路,以降低输出电流的温度系数,提高输出电流的准确性。

实现本发明目的技术方案是:通过增加一路温度补偿电流对输出电流进行温度补偿,降低输出电流的温度系数。整个电路包括:基准电流单元1和电流镜单元3,其特征在于:电流镜单元3包括第一电流镜31和第二电流镜32,基准电流单元1连接在第一电流镜31的输入端e,用于产生大小可调的负温度系数电流IN;第二电流镜32的输入端f连接有温度补偿单元2,用于产生大小可调的补偿电流IP,这两个电流镜的输出端相连,输出温度系数小于75ppm/℃的低温度系数基准电流IO

作为优选,所述的基准电流单元1,包括运算放大器11,第一电阻R1,第一低压NMOS管M1;该运算放大器11的正向输入端a连接外部带隙基准模块输出的基准电压Vref,其反向输入端b通过第一电阻R1连接到地,其输出端o连接到第一低压NMOS管M1的栅极;第一低压NMOS管M1的源极连接到运算放大器11的反向输入端b,其漏极连与第一电流镜相连。

作为优选,所述的第一电流镜31,包括第三低压PMOS管M3和第四低压PMOS管M4,第三低压PMOS管M3的栅极与其自身的漏极和第四低压PMOS管M4的栅极相连,并连接基准电流单元1中第一低压NMOS管M1的漏极,第四低压PMOS管M4的漏极与第二电流镜相连,这两个低压PMOS管M3与M4的源极相连,并连接到电源VDD。

作为优选,所述的第二电流镜32,包括第五低压PMOS管M5和第六低压PMOS管M6,这两个低压PMOS管M5和M6的源极相连,并连接到电源VDD;第六低压PMOS管M6的栅极与其自身的漏极和第五低压PMOS管M5的栅极相连,并连接到温度补偿单元2,第五低压PMOS管M5的漏极与第一电流镜中第四低压PMOS管M4的漏极相连。

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