[发明专利]触摸检测系统及其检测方法、触摸屏终端

说明书

技术领域

本发明属于触控技术领域，尤其涉及一种触摸检测系统及其检测方法、触摸屏终端。

背景技术

现有的电容触摸屏传感器主要基于两种技术，一种是自电容技术，另一种是互电容技术。

自电容技术利用触摸屏传感器X和Y方向的感应电极分别感知人体手指与感应电极之间的电容。其电场分布和等效电路分别如图1、图2所示，其中感测电极11发出电场线（图1中以虚线表示），实质检测的是人体手指与触摸屏感测电极11之间的电容（电场）。其基本原理是：感测电极11与远端大地有一个较小的耦合电容，人体与大地之间有较大的耦合电容，当人体手指靠近或接触感测电极11时，手指会吸收感测电极11发射的电场，一个小电流会从感测电极11流经人体到大地上，从而等效地改变了感测电极与大地之间的电容，图2中C1表示感测电极11与手指之间的耦合电容，R11表示感测电极11的等效电阻。但是由于技术架构限制，自电容技术仅可支持单点触摸检测应用或单点加手势检测应用。

如图3、图4所示，基于互电容技术检测的触摸屏传感器驱动电极31与感应电极32之间的互耦合电容Cx，其基本原理是：驱动电极31发射电场至感应电极32，驱动电极31与感应电极32之间等效有一个小的互耦合电容Cx。人体与大地之间有较大的耦合电容。当人体手指靠近或接触驱动/感应电极时，手指吸收驱动电极31发射出的电场，感应电极32接收的电场减少，一个小电流会从驱动电极21流经人体到大地上，从而等效地改变了驱动电极31与感应电极32之间的电容Cx，图4中R31、R32分别表示驱动电极31的等效电阻和感应电极32的等效电阻。互电容技术可以支持多点触摸检测应用。

随着技术的发展，高透光率、提升产品良率、低成本等要求越来越被重视，由此带来的一个直接影响是用于制作触摸屏电极的主要材料氧化铟锡ITO（不限于ITO）的方块电阻提升，触摸屏电极的阻抗提高。传统的自电容和互电容技术难以适应高阻抗电极的应用条件。

另外，传统的自电容和互电容技术应用中，为了获得较大的触摸灵敏度，触摸屏电极设计均非常有讲究，电极图案比较复杂，生产工艺要求较高，由此带来了生产上的困难，而且复杂的电极图案在某些情况下也会影响显示屏的视觉效果。

发明内容

本发明实施例所要解决的第一个技术问题在于提供一种触摸检测系统的检测方法，旨在简化电容式触摸屏布线设计，以适应较高电极阻抗的触摸屏。

本发明实施例是这样实现的，一种触摸检测系统的检测方法，所述触摸检测系统具有二维矩阵式触摸传感器，所述二维矩阵式触摸传感器上布设有若干驱动电极和若干感应电极，驱动电极与感应电极之间形成耦合电容，且驱动电极和感应电极均与地之间形成寄生电容；所述检测方法包括下述步骤：

通过各个感应电极检测各寄生电容参数的变化信息，并根据检测结果定位出触摸操作在感应电极所在维度上的触摸位置；

根据所述触摸位置上感应电极所对应的寄生电容参数的变化，以及对所述驱动电极的扫描时序，定位出触摸操作在驱动电极所在维度上的触摸位置。

进一步地，所述的根据检测结果定位出触摸操作在感应电极所在维度上的触摸位置的步骤具体包括下述步骤：

当有寄生电容参数的变化超过预设的阈值时，将该寄生电容对应的感应电极的所在位置，作为触摸操作在感应电极所在维度上的触摸位置。

进一步地，所述的根据所述触摸位置上感应电极所对应的寄生电容参数的变化，以及对所述驱动电极的扫描时序，定位出触摸操作在驱动电极所在维度上的触摸位置的步骤具体包括下述步骤：

在扫描各个驱动电极的过程中，将所述触摸位置上感应电极所对应的寄生电容参数变化幅度最大时所扫描的驱动电极的所在位置，作为触摸操作在驱动电极所在维度上的触摸位置。

进一步地，通过感应电极检测到的各个寄生电容参数的变化信息中，包含有第一类寄生电容的参数变化信息与第二类寄生电容的参数变化信息；所述第一类寄生电容为该感应电极与地之间形成的寄生电容，所述第二类寄生电容为可与该感应电极形成耦合电容的驱动电极与地之间形成的寄生电容。

进一步地，所述第二类寄生电容的参数变化信息通过耦合电容反映至感应电极上。

本发明实施例所要解决的第二个技术问题在于提供一种触摸检测系统，所述触摸检测系统具有二维矩阵式触摸传感器，所述二维矩阵式触摸传感器上布设有若干驱动电极和若干感应电极，驱动电极与感应电极之间形成耦合电容，且驱动电极和感应电极均与地之间形成寄生电容；所述触摸检测系统还包括：