[发明专利]静电防护电路以及具有该静电防护电路的显示装置有效
申请号: | 201310653295.8 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN103972228B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 金容载;郑宝容;李海衍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G09G3/3208;G02F1/1362;H01L23/60;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/423 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 王占杰,韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 防护 电路 以及 具有 显示装置 | ||
1.一种显示装置的静电防护电路,显示装置包括:被构造为驱动显示图像的显示单元的驱动电路、被构造为向驱动电路传输时钟信号的至少一条时钟信号线、以及静电防护电路,其中,所述静电防护电路包括:
至少一个晶体管,晶体管的栅电极电结合到时钟信号线;以及
至少一个电容器,包括结合到晶体管的源电极和漏电极的第一电极和被构造为维持电压的第二电极。
2.如权利要求1所述的静电防护电路,其中,时钟信号线通过栅极金属线与晶体管的栅电极相结合。
3.如权利要求1所述的静电防护电路,其中,晶体管包括:
半导体层,包括掺杂有半导体杂质的杂质掺杂区域和未掺杂有任何半导体杂质的本征半导体区域;
栅电极层,位于半导体层上;以及
栅极绝缘层,在栅电极层和半导体层之间,
其中,栅极绝缘层被构造为通过流经时钟信号线的静电电流产生电打开或者电短路。
4.如权利要求3所述的静电防护电路,其中,半导体层的杂质掺杂区域包括:
第一杂质掺杂区域;以及
第二杂质掺杂区域,与第一杂质掺杂区域相对并且电结合到第一杂质掺杂区域的未与栅电极层叠置的部分。
5.如权利要求3所述的静电防护电路,其中,电容器的第一电极电结合到半导体层的杂质掺杂区域,电容器被构造为当栅极绝缘层短路时聚积流入的静电电流。
6.一种显示装置,所述显示装置包括:
显示单元,包括多个像素并被构造为通过基于与图像数据信号相对应的数据电压发射光来显示图像;
驱动电路,被构造为驱动显示单元;
至少一条时钟信号线,被构造为将时钟信号传输到驱动电路;以及
静电防护电路,包括:
至少一个晶体管,晶体管的栅电极电结合到时钟信号线;以及
至少一个电容器,包括结合到晶体管的源电极和漏电极的第一电极以及被构造为施加有固定电压的第二电极。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中,静电防护电路结合在时钟信号线和驱动电路之间。
8.如权利要求6所述的显示装置,其中,时钟信号线通过栅极金属线结合到静电防护电路的晶体管的栅电极。
9.如权利要求6所述的显示装置,其中,晶体管包括:
半导体层,包括掺杂有半导体杂质并且电结合到电容器的第一电极的杂质掺杂区域以及未掺杂有任何半导体杂质的本征半导体层;
栅电极层,位于半导体层上;以及
栅极绝缘层,在栅电极层和半导体层之间。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中,半导体的杂质掺杂区域包括:
第一杂质掺杂区域;以及
第二杂质掺杂区域,与第一杂质掺杂区域相对并且电结合到第一杂质掺杂区域的未与栅电极层叠置的一部分。
11.如权利要求9所述的显示装置,其中,栅极绝缘层被构造为由于静电电流流经至少一条时钟信号线而引起电打开或者引起电短路。
12.如权利要求11所述的显示装置,其中,电容器的第一电极电结合到半导体层的杂质掺杂区域,电容器被构造为当栅极绝缘层短路时聚积流入的静电电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的