[发明专利]静电防护电路以及具有该静电防护电路的显示装置有效

专利信息
申请号: 201310653295.8 申请日: 2013-12-05
公开(公告)号: CN103972228B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 金容载;郑宝容;李海衍 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;G09G3/3208;G02F1/1362;H01L23/60;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/423
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 王占杰,韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 静电 防护 电路 以及 具有 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明的实施例涉及一种静电防护电路以及一种包括该静电防护电路的显示装置。

背景技术

通常,与阴极射线管显示器相比,诸如有机发光二极管(OLED)显示器的平板显示装置具有若干优势,例如尺寸小、厚度薄且功耗低,并且能够实现高分辨率且全彩色的图像。这些优势已经使得平板显示装置被广泛地应用在各种领域中。目前,OLED显示装置已经用于计算机、膝上型电脑、手机、TV、音频/视频装置等等。

根据施加给以矩阵形式排列的多个像素中的每个像素的图像数据信号,这样的OLED显示器通过控制传输到有机发光元件的驱动电流的量来显示图像。

通常,将玻璃基底用作显示装置的基底,但是玻璃基底也作为绝缘体,所以在面板制造工艺过程中产生的静电电荷收集在玻璃基底上,因此,导致外部颗粒(诸如灰尘)容易附着到玻璃基底,由此导致工艺故障。此外,面板中的元件可能因为静电而被损坏,因此,期望在平面显示面板中防止静电的收集。

传统地,将屏蔽静电的线或者电阻器插入到显示面板的边缘中。此外,使用二极管的静电防护电路安装在提供用于驱动显示面板的电源电压的线和提供用于照明测试的信号的线之间。

然而,随着显示器的尺寸增加,在制造工艺和模块组装过程中静电荷的出现变得更加频繁。因此,传统技术(诸如用于屏蔽静电的线或者电阻器)不能有效地防止在大尺寸的显示面板中发生静电。此外,当安装静电防护电路时,由于因静电而引起的高电位差导致的在静电防护电路中发生诸如爆炸的事件,所以由于短路而导致的损坏会经常发生。从而,显示面板的驱动会失效。

因此,耐抗静电的显示面板的设计被用于防止显示面板的驱动故障,并且用于防止由于对静电防护电路的爆炸损坏引起的对OLED显示器的显示面板造成损坏,并且同时有效地防止在大尺寸的显示面板中发生静电。

在此背景技术部分中公开的上述信息仅仅是为了增进对本发明的背景技术的理解,并且因此,其可能包含不构成在该国对本领域普通技术人员来说已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的示例实施例可以防止显示面板中静电的发生和流入,以防止显示面板的故障和损坏,并防止由于静电导致的显示装置的制造工艺故障。

此外,可以提供能有效地应用于大尺寸的显示面板的静电防护设计电路,以避免由于在显示装置中的静电的流入而导致的驱动失效,因此提供具有优良品质的显示面板。

根据本发明的一个方面,提供了一种显示装置的静电防护电路,所述静电防护电路包括:驱动电路,被构造为驱动显示图像的显示单元;至少一条时钟信号线,被构造为向驱动电路传输时钟信号;至少一个晶体管,电结合到时钟信号线;以及至少一个电容器,包括结合到晶体管的源电极并结合到晶体管的漏电极的第一电极和被构造为维持电压的第二电极。

时钟信号线可以通过栅极金属线与晶体管的栅电极相结合。

晶体管可以包括:半导体层,包括掺杂有半导体杂质的杂质掺杂区域和未掺杂有任何半导体杂质的本征半导体区域;栅电极层,位于半导体层上;以及栅极绝缘层,在栅电极层和半导体层之间,其中,栅极绝缘层被构造为通过流经时钟信号线的静电电流而产生电打开或者电短路。

半导体层的杂质掺杂区域可以包括:第一杂质掺杂区域;以及第二杂质掺杂区域,与第一杂质掺杂区域相对并且电结合到第一杂质掺杂区域的未与栅电极层叠置的部分。

静电防护电路还可以包括具有电结合到半导体层的杂质掺杂区域的第一电极的电容器,电容器被构造为当栅极绝缘层短路时聚积流入的静电电流。

根据本发明的另一个方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示单元,包括多个像素并被构造为通过基于与图像数据信号相对应的数据电压发射光来显示图像;驱动电路,被构造为驱动显示单元;至少一条时钟信号线,被构造为将时钟信号传输到驱动电路;以及静电防护电路,包括:至少一个晶体管,电结合到时钟信号线;以及至少一个电容器,包括结合到晶体管的源电极和漏电极的第一电极以及被构造为施加有固定电压的第二电极。

静电防护电路可以结合在时钟信号线和驱动电路之间。

时钟信号线可以通过栅极金属线结合到静电防护电路的晶体管的栅电极。

晶体管可以包括:半导体层,包括掺杂有半导体杂质并且电结合到电容器的第一电极的杂质掺杂区域以及未掺杂有任何半导体杂质的本征半导体层;栅电极层,位于半导体层上;以及栅极绝缘层,在栅电极层和半导体层之间。

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