[发明专利]双重曝光的图案拆分方法以及系统有效
申请号: | 201310655176.6 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN104701140B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 王良 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触孔图案 边界距离 几何中心 双重曝光 图案 掩模 位置识别单元 比较单元 尺寸数据 第二测量 方向定义 计算单元 目标图案 投影距离 垂直的 比对 | ||
1.一种双重曝光的图案拆分方法,其特征在于,包括:
提供目标图案,所述目标图案包括若干相互独立的接触孔图案;
在目标图案的平面内定义第一方向以及第二方向,并使所述第一方向以及第二方向相互垂直;
获取所述接触孔图案以及至少一个相邻接触孔图案的尺寸数据;
获取接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第一方向的投影距离;
获取接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第二方向的投影距离;
通过所述接触孔图案的尺寸数据、相邻接触孔图案的尺寸数据、所述第一方向的投影距离以及第二方向的投影距离,计算得到所述接触孔图案到相邻接触孔图案的边界距离,所述边界距离为在接触孔图案与相邻接触孔图案沿几何中心连线方向上的边界之间的距离;
将所述边界距离与阈值进行相对大小的比对,以判断是否将所述接触孔图案拆分至不同的分掩模。
2.根据权利要求1所述的图案拆分方法,其特征在于,所述接触孔图案为矩形接触孔图案。
3.根据权利要求2所述的图案拆分方法,其特征在于,使所述第一方向以及第二方向分别平行矩形接触孔图案的边长。
4.根据权利要求2所述的图案拆分方法,其特征在于,
获取接触孔图案的尺寸数据的步骤包括:获取所述接触孔图案的至少一个边长的数据;
获取相邻接触孔图案的尺寸数据的步骤包括:获取相邻接触孔图案的至少一个边长的数据。
5.根据权利要求3所述的图案拆分方法,其特征在于,计算得到接触孔图案到相邻接触孔图案的边界距离的步骤包括,通过以下公式进行计算得到所述边界距离:
R=[(x)
其中,R表示所述边界距离,x表示所述接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第一方向的投影距离,y表示接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第二方向的投影距离,a表示接触孔图案的边长,b表示相邻接触孔图案的边长。
6.根据权利要求5所述的图案拆分方法,其特征在于,当x≥y时,所述公式变为:
R=[(x)
7.根据权利要求5所述的图案拆分方法,其特征在于,当x<y时,所述公式变为:
R=[(x)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造