[发明专利]双重曝光的图案拆分方法以及系统

说明书

一种双重曝光的图案拆分方法，包括：提供目标图案；定义相互垂直的第一、第二方向；获取接触孔图案尺寸数据以及接触孔图案几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第一方向、第二方向的投影距离；计算得到接触孔图案到相邻接触孔图案的边界距离；对比判断是否将所述接触孔图案拆分至不同的分掩模。本发明还提供一种双重曝光的图案拆分系统，包括位置识别单元、方向定义单元、第一、第二测量单元、计算单元以及比较单元。本发明具有以下优点：获取的边界距离小于现有的拆分方法中接触孔图案几何中心之间的距离，按照所述边界距离与阈值进行比对，能够尽量避免拆分后位于同一分掩模上的接触孔图案之间排列得过于紧密。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种双重曝光的图案拆分方法以及系统。

背景技术

在半导体的制造过程中，图形化是必不可少的制作流程。在此过程中，需要根据半导体器件设计掩模，所述掩模包括目标图案，然后通过光刻将掩模上的这些目标图案转移到光刻胶上，并对光刻胶进行曝光显影。

然而，由于集成电路的集成度越来越高，其中的半导体器件的特征尺寸越来越小，相应的对制作工艺的要求越来越精密。现有光刻设备所提供的光线波长有其极限，如果掩模上的图案过于接近，将会造成最后转移到半导体器件上的目标图案不能清楚的显现出来，进而使制作的半导体器件产生缺陷。

目标图案不能清楚的显现一般发生在图案的边缘部分，例如，对于一个矩形图案，这种现象发生在矩形的四个角上。为了克服该问题，现有技术通常将掩模上的图案进行光学临近修正（Optical Proximity Correction,OPC）处理，这种方法会在一定程度上将原本的图案扩大。

为此，现有的方法是采用双重曝光（Double Patterning）的方法克服上述问题。这种方法通过计算目标图案中各个图案之间的距离，将原本放在一张掩模上较为密集的目标图案拆分至两张分掩模，分别进行曝光以完成目标图案的转移。

但是，这种拆分方法仍然不能很好的解决掩模上的目标图案过于密集导致转移到半导体器件上的图案不能楚的显现的问题，转移到半导体器件上的目标图案仍然不够理想。

另外，在一些情况下，由于在经过光学临近修正处理时可能将进行掩模规则检查（Mask Rule Check,MRC），导致在光学临近修正处理的过程中需要将考虑MRC的限制，即遵循一定的规则（rule），使得对一些接触孔图案的光学临近修正因违反MRC规则而无法实施，导致这些接触孔图案无法得到修正。

为此，如何合理拆分目标图案，以使拆分后不同分掩模上的目标图案不至于过于密集，成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种双重曝光的图案拆分方法以及系统，以较好的将目标图案拆分至不同的分掩模，使分掩模上的目标图案不至于过于密集，从而提高后续对半导体器件图形化的质量。

为解决上述问题，本发明提供一种双重曝光的图案拆分方法，包括：

提供目标图案，所述目标图案包括若干相互独立的接触孔图案；

在目标图案的平面内定义第一方向以及第二方向，并使所述第一方向以及第二方向相互垂直；

获取所述接触孔图案以及至少一个相邻接触孔图案的尺寸数据；

获取接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第一方向的投影距离；

获取接触孔图案的几何中心到相邻接触孔图案的几何中心在第二方向的投影距离；

通过所述接触孔图案的尺寸数据、相邻接触孔图案的尺寸数据、所述第一方向的投影距离以及第二方向的投影距离，计算得到所述接触孔图案到相邻接触孔图案的边界距离，所述边界距离为在接触孔图案与相邻接触孔图案沿几何中心连线方向上的边界之间的距离；