[发明专利]沉积源组件有效
申请号: | 201310659801.4 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN104141114B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 车龙俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C14/22;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 组件 | ||
1.一种用于将沉积材料沉积在配置于腔中的衬底上的沉积源组件,包括:
沉积源,设置在所述腔中用于将所述沉积材料沉积在所述衬底上;
电极,所述电极穿过所述腔的至少一个壁,并被配置成向所述沉积源提供电力;
绝缘部件,设置在所述电极与所述腔的壁之间;以及
绝缘部件盖,设置在所述绝缘部件上以至少覆盖所述绝缘部件的一部分,
其中所述绝缘部件盖包括:
基座,所述基座突出超过所述绝缘部件,并完全覆盖所述绝缘部件的面对所述沉积源的顶表面;以及
突出部,所述突出部沿着远离所述沉积源的方向突出至所述绝缘部件的侧面的上部。
2.如权利要求1所述的沉积源组件,其中所述沉积源被配置成沉积金属材料。
3.如权利要求2所述的沉积源组件,其中所述沉积材料包括锂、钙、氟化锂/钙、氟化锂/铝、铝、银、镁及其混合物中的至少一种。
4.如权利要求1所述的沉积源组件,其中:
所述腔的壁包括穿过所述壁形成的孔;
所述绝缘部件延伸穿过所述孔;以及
所述电极延伸穿过所述绝缘部件。
5.如权利要求4所述的沉积源组件,其中所述绝缘部件附接至所述腔的所述壁的内表面和外表面。
6.如权利要求1所述的沉积源组件,其中所述基座直接配置在所述绝缘部件上。
7.如权利要求1所述的沉积源组件,其中所述突出部的末端与所述腔的底部表面间隔开。
8.如权利要求1所述的沉积源组件,其中所述绝缘部件盖被配置成防止沉积材料沉积在所述绝缘部件上。
9.如权利要求1所述的沉积源组件,其中所述绝缘部件盖包括陶瓷材料。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的