[发明专利]振荡装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种将第1晶体振子、第2晶体振子及集成电路芯片配备在容器内的振荡装置。

背景技术

用于晶体振荡器的晶体振子具有振荡频率相应于温度而变化的频率温度特性，所以，在要求高频率特性的应用（application）中进行组装时，使用附带恒温槽的晶体振荡器（OCXO，Oven Controlled Crystal Oscillator，恒温晶体共振器）或温度补偿晶体振荡器（TCXO，Temperature Compensated Crystal Oscillator，温度补偿晶体共振器）等。TCXO与OCXO相比，虽然频率稳定度较差，但具有结构简单且耗电小的特征，可根据用途而选择。

本发明者研究了在TCXO或OCXO中，利用2个晶体振子的频率差来运算温度，并利用温度来校正频率变动。在专利文献1中提出了如下技术：在TCXO中，利用共用的晶体片构成第1及第2晶体振子，并根据这些晶体振子的频率差来求出频率校正值。在该技术中，将分别连接于第1及第2晶体振子的第1及第2振荡电路的振荡输出设为f1、f2，将基准温度下的第1及第2振荡电路的振荡频率分别设为f1r、f2r。而且，将与f1和f1r的差值相对应的值和与f2和f2r的差值相对应的值的差值、即频率差视作此时的温度，根据该频率差，由多项式近似法而求出频率校正值。

此种TCXO是例如通过对每一晶体振子获取频率特性，建立校正数据之后，将晶体振子与包含振荡电路或温度补偿电路的集成电路芯片（LSI，Large Scale Integration，大规模集成电路）安装在印刷基板而制造。但是，如果晶体振荡器的运行时间变长，则存在振荡频率的校正值中产生误差，振荡频率的稳定度下降的担忧。作为此情况的主要原因，推测在于因晶体振荡器运行，集成电路芯片发热，且因该热导致2个晶体振子的温度产生差异。其原因在于：所述构成的前提在于2个晶体振子的温度相同，因此，如果2个晶体振子的温度产生差异，则与校正数据的对应关系被破坏，导致校正值产生误差。

在专利文献2中记载有如下构成：在弹性表面波分波器中，在基底基板上搭载2个弹性表面波滤波器元件，在它们之间设置集中参数电路元件。在专利文献3中记载有如下技术：在恒温型晶体振荡器中，在第1电路基板设置晶体振子，并且在与第1电路基板隔开间隔地设置的第3电路基板设置缓冲段与温度控制电路的电路元件，由此，抑制对缓冲段等的热影响，防止特性下降。在专利文献4中记载有如下技术：在电压控制型压电振荡器中，在绝缘基板的一面侧设置压电振子，在另一面侧设置温度控制电路，且在压电振子为常温以下的温度区域，利用温度控制电路控制发热体，在常温以上的温度区域，使用压电振子的频率温度特性。

但是，在专利文献1～专利文献4中，对于具备2个晶体振子的振荡装置中使频率稳定度提高的技术尚未记载。因此，根据专利文献1～专利文献4也难以解决本发明的课题。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2012-170050号公报

[专利文献2]日本专利特开2001-127588号公报（段落0004、图9）

[专利文献3]日本专利特开2010-154227号公报（段落0025～0030、图1）

[专利文献4]日本专利特开2011-199335号公报（段落0017、图1）

发明内容

本发明是基于此种情况而完成，其目的在于提供一种频率稳定度高的振荡装置。

因此，本发明的振荡装置是根据环境温度的检测结果，而校正输出频率的设定值，所述振荡装置的特征在于包括：

第1晶体振子，在第1晶体片的两面分别设置第1激振电极而构成；

第2晶体振子，在第2晶体片的两面分别设置第2激振电极而构成；

集成电路芯片，包括：第1振荡电路及第2振荡电路，分别连接于这些第1晶体振子及第2晶体振子；及校正部，将与第1振荡电路及第2振荡电路的振荡频率的差值相对应的信号作为温度的检测结果，并根据该检测结果而校正第1振荡电路的输出频率的设定值；以及

容器，收纳所述第1晶体振子、第2晶体振子及集成电路芯片；

在俯视时，将从所述集成电路芯片的重心位置到所述第1激振电极及第2激振电极的各重心位置的距离分别设为D1、D2，则D1/D2为0.95以上1.05以下。

而且，本发明的振荡装置是附带利用加热部将收纳着晶体振子的容器内加热的恒温槽，所述振荡装置的特征在于包括：