[发明专利]晶圆夹具

说明书

本发明公开了一种晶圆夹具，包括一第一夹合件及一第二夹合件。第一夹合件包括一第一板体及连接于第一板体的一第一夹爪。第二夹合件位于第一夹合件的一侧，且包括一第二板体及连接于第二板体的一第二夹爪。第一夹合件与第二夹合件适于相对移动，以夹持或释放一晶圆。当第一夹合件与第二夹合件相互靠拢时，第一夹爪与第二夹爪共同承靠晶圆的侧边，且第一板体与第二板体在晶圆上的垂直投影至少覆盖位于晶圆中央的一实质上为圆形的区域。

技术领域

本申请是有关于一种夹具，且特别是有关于一种晶圆夹具。

背景技术

在半导体工艺中，离子注入是其中的一道工艺。离子注入主要是将欲掺质元素转变为离子型态(Ion Beam)并使其有足够的能量与速度，以注入晶圆的表面或其中特定的位置，使得材料的表面的性能得到改善。

当进行离子注入时，会将原本位于大气状态下的晶圆移动至高真空状态的腔体中，再透过晶圆夹具将晶圆夹至离子注入区域中的承载盘上，便放开晶圆而回位，其后离子注入机开始对晶圆注入离子。

然而，晶圆夹具在来回于离子注入区域的过程中，会有部分的离子附着于晶圆夹具的边缘。当晶圆夹具在抓取晶圆时，这些原本附着于晶圆夹具边缘的离子便会转移至晶圆上而造成污染。离子附着于晶圆表面会对于产品后续工艺的影响非常大。举例来说，这些污染物可能会造成元件p-n结的漏电、缩减少数载子的生命期、降低栅极氧化层的崩溃电压、金属导线腐蚀等问题，而导致半导体元件的质量及可靠度降低，甚至造成半导体元件失效。

发明内容

本申请提供一种晶圆夹具，其可降低对晶圆所造成的离子污染。

本申请提供一种晶圆夹具，包括一第一夹合件及一第二夹合件。第一夹合件包括一第一板体。第二夹合件位于第一夹合件的一侧，且包括一第二板体。第一夹合件与第二夹合件适于相对移动，以夹持或释放一晶圆。当第一夹合件与第二夹合件相互靠拢时，第一夹爪与第二夹爪共同承靠晶圆的侧边，且第一板体与第二板体在晶圆上的垂直投影至少覆盖位于晶圆中央的一实质上为圆形的区域。

在本申请的一实施例中，上述的第一板体与第二板体所覆盖的区域位于晶圆的一有源面上。

在本申请的一实施例中，上述的第一板体与第二板体覆盖晶圆的整个有源面。

在本申请的一实施例中，上述的被覆盖的区域的面积与有源面的面积的比值介于0.75至1之间。

在本申请的一实施例中，上述的第一板体与第二板体实质上分别呈半圆形。

本申请更提供一种晶圆夹具，包括一第一夹合件及一第二夹合件。第一夹合件包括一第一板体。第二夹合件位于第一夹合件的一侧，且包括一第二板体。第一夹合件与第二夹合件适于相对移动，以夹持或释放一晶圆。当第一夹合件与第二夹合件相互靠拢时，第一夹爪与第二夹爪共同承靠晶圆的侧边。第一板体与第二板体在晶圆上的垂直投影覆盖晶圆的一区域，且被覆盖的区域的面积与晶圆的一有源面的面积的比值介于0.75至1之间。

在本申请的一实施例中，上述的第一板体与第二板体所覆盖的区域位于晶圆的有源面上。

在本申请的一实施例中，上述的第一板体与第二板体分别呈半圆形。

基于上述，本申请的晶圆夹具采用了大面积的第一板体与第二板体，使得晶圆夹具在夹持晶圆时，第一板体与第二板体能够覆盖晶圆全部或绝大部分的区域。如此，除了可避免悬浮于工作区中的离子沾附到晶圆而造成污染之外，也可降低附着于晶圆夹具边缘的离子转移到晶圆的机率，藉以提高工艺良率。

为让本申请的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本申请的一实施例的一种晶圆夹具应用于一离子注入机的示意图。