[发明专利]BICMOS集成电路中双极器件的制造方法无效
申请号: | 201310665755.9 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN103606537A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 唐宁;王鹏;陆虹;刘旸;孙大成 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | H01L21/8249 | 分类号: | H01L21/8249 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 方挺;葛强 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | bicmos 集成电路 中双极 器件 制造 方法 | ||
1.BICMOS集成电路中双极器件的制造方法,包括:
在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区;
在所述基区上进行场区氧化,形成场氧化层;
在所述P型阱的场氧层上制造环形多晶硅栅极;
在所述环形多晶硅栅极的中间区域及外围区域内同时进行N+注入区光刻,在该N+注入区内注入磷,在所述中间区域形成发射区,在所述外围形成集电区;
在所述P型外延的场氧层上方的边缘区域中,进行P+注入区光刻,在该P+注入区内注入硼,形成基极区;
在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层。
2.如权利要求1所述的制造方法,所述在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区的步骤包括:
对N型单晶硅表面进行RCA标准清洗后,进行一次氧化;
在氧化表面,施加环形N阱掩膜版,进行N阱光刻;
N阱光刻后,进行湿法腐蚀获得N阱,在该N阱中注入磷,形成N型阱的基区;
施加P阱掩膜版,进行P阱光刻,所述P阱掩膜板的P阱开窗位于环形N外延基区的中部;
P阱光刻后,进行湿法腐蚀获得N阱,在该N阱中注入硼形成P型阱的基区。
3.如权利要求2所述的制造方法,包括:所述一次氧化厚度为130nm;所述磷的注入量为5×1012/cm2、所述硼的注入量为3×1013/cm2。
4.如权利要求1所述的制造方法,所述在所述基区上进行场区氧化,形成场氧化层的步骤包括:
在所述基区上进行预氧化后,淀积氮化硅;
在氮化硅表面,施加有源区掩膜版,进行掩膜光刻,所述有源区掩膜板的开窗位于P型外延的中部;
在有源区光刻后,进行湿法腐蚀,注入硼;
进行场区氧化,形成场氧化层。
5.如权利要求4所述的制造方法,包括:所述预氧化的厚度为50nm、所述氮化硅的厚度为170nm;所述硼的注入量为1×1014/cm2;所述形成氧化层厚度为:650nm。
6.如权利要求1所述的制造方法,所述在场氧层上制造环形多晶硅栅极的步骤包括:
在所述P型外延的场氧层上注入硼;
进行栅氧化加固处理后淀积多晶;
施加环形多晶硅掩膜版,进行多晶硅光刻,形成环形多晶硅栅极。
7.如权利要求6所述的制造方法,所述硼的注入量为5×1012/cm2;所述栅氧化厚度为20nm、多晶硅厚度为400nm。
8.如权利要求1所述的制造方法,所述在N+注入区内注入磷的步骤包括:
利用多晶硅自对准工艺,以5×1015/cm2注入剂量,在N+注入区内注入磷。
9.如权利要求1所述的制造方法,在所述N+注入区内注入磷的步骤后还包括:
根据所述多晶硅栅宽度,对所述发射区及集电区进行退火处理。
10.如权利要求1所述的制造方法,所述在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层的步骤包括:
淀积二氧化硅,淀积厚度为900nm;
在二氧化硅表面施加孔光刻掩膜版,进行孔光刻,该孔光刻掩膜版的开窗区域为发射区、集电区及基极区所对应的区域;
干法腐蚀二氧化硅;
表面溅射金属;
施加布线金属掩膜版,进行干法腐蚀金属,形成布线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造