[发明专利]BICMOS集成电路中双极器件的制造方法

权利要求书

1.BICMOS集成电路中双极器件的制造方法，包括：

在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区；

在所述基区上进行场区氧化，形成场氧化层；

在所述P型阱的场氧层上制造环形多晶硅栅极；

在所述环形多晶硅栅极的中间区域及外围区域内同时进行N+注入区光刻，在该N+注入区内注入磷，在所述中间区域形成发射区，在所述外围形成集电区；

在所述P型外延的场氧层上方的边缘区域中，进行P+注入区光刻，在该P+注入区内注入硼，形成基极区；

在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层。

2.如权利要求1所述的制造方法，所述在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区的步骤包括：

对N型单晶硅表面进行RCA标准清洗后，进行一次氧化；

在氧化表面，施加环形N阱掩膜版，进行N阱光刻；

N阱光刻后，进行湿法腐蚀获得N阱，在该N阱中注入磷，形成N型阱的基区；

施加P阱掩膜版，进行P阱光刻，所述P阱掩膜板的P阱开窗位于环形N外延基区的中部；

P阱光刻后，进行湿法腐蚀获得N阱，在该N阱中注入硼形成P型阱的基区。

3.如权利要求2所述的制造方法，包括：所述一次氧化厚度为130nm；所述磷的注入量为5×10¹²/cm²、所述硼的注入量为3×10¹³/cm²。

4.如权利要求1所述的制造方法，所述在所述基区上进行场区氧化，形成场氧化层的步骤包括：

在所述基区上进行预氧化后，淀积氮化硅；

在氮化硅表面，施加有源区掩膜版，进行掩膜光刻，所述有源区掩膜板的开窗位于P型外延的中部；

在有源区光刻后，进行湿法腐蚀，注入硼；

进行场区氧化，形成场氧化层。

5.如权利要求4所述的制造方法，包括：所述预氧化的厚度为50nm、所述氮化硅的厚度为170nm；所述硼的注入量为1×10¹⁴/cm²；所述形成氧化层厚度为：650nm。

6.如权利要求1所述的制造方法，所述在场氧层上制造环形多晶硅栅极的步骤包括：

在所述P型外延的场氧层上注入硼；

进行栅氧化加固处理后淀积多晶；

施加环形多晶硅掩膜版，进行多晶硅光刻，形成环形多晶硅栅极。

7.如权利要求6所述的制造方法，所述硼的注入量为5×10¹²/cm²；所述栅氧化厚度为20nm、多晶硅厚度为400nm。

8.如权利要求1所述的制造方法，所述在N+注入区内注入磷的步骤包括：

利用多晶硅自对准工艺，以5×10¹⁵/cm²注入剂量，在N+注入区内注入磷。

9.如权利要求1所述的制造方法，在所述N+注入区内注入磷的步骤后还包括：

根据所述多晶硅栅宽度，对所述发射区及集电区进行退火处理。

10.如权利要求1所述的制造方法，所述在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层的步骤包括：

淀积二氧化硅，淀积厚度为900nm；

在二氧化硅表面施加孔光刻掩膜版，进行孔光刻，该孔光刻掩膜版的开窗区域为发射区、集电区及基极区所对应的区域；

干法腐蚀二氧化硅；

表面溅射金属；

施加布线金属掩膜版，进行干法腐蚀金属，形成布线。