[发明专利]BICMOS集成电路中双极器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201310665755.9 申请日: 2013-12-06
公开(公告)号: CN103606537A 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 唐宁;王鹏;陆虹;刘旸;孙大成 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十七研究所
主分类号: H01L21/8249 分类号: H01L21/8249
代理公司: 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 代理人: 方挺;葛强
地址: 110032 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: bicmos 集成电路 中双极 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.BICMOS集成电路中双极器件的制造方法,包括:

在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区;

在所述基区上进行场区氧化,形成场氧化层;

在所述P型阱的场氧层上制造环形多晶硅栅极;

在所述环形多晶硅栅极的中间区域及外围区域内同时进行N+注入区光刻,在该N+注入区内注入磷,在所述中间区域形成发射区,在所述外围形成集电区;

在所述P型外延的场氧层上方的边缘区域中,进行P+注入区光刻,在该P+注入区内注入硼,形成基极区;

在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层。

2.如权利要求1所述的制造方法,所述在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区的步骤包括:

对N型单晶硅表面进行RCA标准清洗后,进行一次氧化;

在氧化表面,施加环形N阱掩膜版,进行N阱光刻;

N阱光刻后,进行湿法腐蚀获得N阱,在该N阱中注入磷,形成N型阱的基区;

施加P阱掩膜版,进行P阱光刻,所述P阱掩膜板的P阱开窗位于环形N外延基区的中部;

P阱光刻后,进行湿法腐蚀获得N阱,在该N阱中注入硼形成P型阱的基区。

3.如权利要求2所述的制造方法,包括:所述一次氧化厚度为130nm;所述磷的注入量为5×1012/cm2、所述硼的注入量为3×1013/cm2

4.如权利要求1所述的制造方法,所述在所述基区上进行场区氧化,形成场氧化层的步骤包括:

在所述基区上进行预氧化后,淀积氮化硅;

在氮化硅表面,施加有源区掩膜版,进行掩膜光刻,所述有源区掩膜板的开窗位于P型外延的中部;

在有源区光刻后,进行湿法腐蚀,注入硼;

进行场区氧化,形成场氧化层。

5.如权利要求4所述的制造方法,包括:所述预氧化的厚度为50nm、所述氮化硅的厚度为170nm;所述硼的注入量为1×1014/cm2;所述形成氧化层厚度为:650nm。

6.如权利要求1所述的制造方法,所述在场氧层上制造环形多晶硅栅极的步骤包括:

在所述P型外延的场氧层上注入硼;

进行栅氧化加固处理后淀积多晶;

施加环形多晶硅掩膜版,进行多晶硅光刻,形成环形多晶硅栅极。

7.如权利要求6所述的制造方法,所述硼的注入量为5×1012/cm2;所述栅氧化厚度为20nm、多晶硅厚度为400nm。

8.如权利要求1所述的制造方法,所述在N+注入区内注入磷的步骤包括:

利用多晶硅自对准工艺,以5×1015/cm2注入剂量,在N+注入区内注入磷。

9.如权利要求1所述的制造方法,在所述N+注入区内注入磷的步骤后还包括:

根据所述多晶硅栅宽度,对所述发射区及集电区进行退火处理。

10.如权利要求1所述的制造方法,所述在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层的步骤包括:

淀积二氧化硅,淀积厚度为900nm;

在二氧化硅表面施加孔光刻掩膜版,进行孔光刻,该孔光刻掩膜版的开窗区域为发射区、集电区及基极区所对应的区域;

干法腐蚀二氧化硅;

表面溅射金属;

施加布线金属掩膜版,进行干法腐蚀金属,形成布线。

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