[发明专利]绝缘基板上制作导电线路的方法以及该方法制作的电路板在审

专利信息
申请号: 201310669547.6 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN103857189A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 陈华 申请(专利权)人: 深圳市瑞丰光电子股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K1/02
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 绝缘 基板上 制作 导电 线路 方法 以及 电路板
【权利要求书】:

1.一种绝缘基板上制作导电线路的方法,其特征在于:包括如下步骤:

取一绝缘基板,在该绝缘基板表面沉积ZnO薄膜或掺杂杂质的ZnO薄膜;

在ZnO薄膜上涂设光刻胶层,取预先制作有线路图形的底片覆盖于光刻胶层上,然后对其进行曝光;

曝光后,去掉该底片,采用显影药水处理所述光刻胶层,剩余的光刻胶层形成线路图形,并裸露出被处理的光刻胶层所覆盖的ZnO薄膜;

蚀刻裸露的ZnO薄膜,并去掉剩余的光刻胶层,露出剩余的ZnO薄膜;

将所述绝缘基板置于电解槽内,调节电镀参数,于剩余的ZnO薄膜表面形成导电层。

2.如权利要求1所述的绝缘基板上制作导电线路的方法,其特征在于:在所述绝缘基板上制作ZnO薄膜时,采用化学气相沉积法将ZnCl2气体吸附于所述绝缘基板的表面,并将多余的ZnCl2气体进行清除,向所述绝缘基板补充H2O气体,H2O气体与所述绝缘基板上吸附的ZnCl2气体反应生成ZnO薄膜,清除多余的H2O气体以及反应生成的HCl气体。

3.如权利要求1所述的绝缘基板上制作导电线路的方法,其特征在于:在将剩余的光刻胶层去掉之后且在将绝缘基板置于电解槽之前,将绝缘基板以及剩余的ZnO薄膜进行等离子清洗。

4.如权利要求1所述的绝缘基板上制作导电线路的方法,其特征在于:所述电镀参数包括电流密度、镀液密度以及镀液温度。

5.一种电路板,包括绝缘基板,其特征在于:所述绝缘基板的上表面覆盖有第一ZnO薄膜层,所述第一ZnO薄膜层形成第一线路图形,于所述第一ZnO薄膜层上还镀设有第一导电层。

6.如权利要求5所述的电路板,其特征在于:所述绝缘基板的下表面还覆盖有第二ZnO薄膜层,所述第二ZnO薄膜层形成第二线路图形,所述第二ZnO薄膜层上镀设有第二导电层。

7.如权利要求6所述的电路板,其特征在于:所述第一ZnO薄膜层与所述第二ZnO薄膜层之间通过若干通孔连接,且各所述通孔内壁镀设有第三导电层,且所述第三导电层与所述第一导电层以及所述第二导电层均电性连接。

8.如权利要求7所述的电路板,其特征在于:于所述第一导电层与所述第二导电层上分别设有用于防止焊料流入所述通孔内的若干挡套,每一所述挡套围设其中一所述通孔。

9.如权利要求6所述的电路板,其特征在于:所述第一导电层的表面与所述第二导电层的表面还均涂设有防氧化层。

10.如权利要求5所述的电路板,其特征在于:所述绝缘基板为多孔陶瓷板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市瑞丰光电子股份有限公司,未经深圳市瑞丰光电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310669547.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top