[发明专利]光学耦合器件在审
申请号: | 201310675025.7 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN103872170A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 野邑由起夫 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/02;H01L31/0203 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 韩峰;孙志湧 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 耦合 器件 | ||
1.一种光学耦合器件,其包括:
第一引线框架;
光发射器件,所述光发射器件被安装在所述第一引线框架上;
光接收器件,所述光接收器件被构造为接收从所述光发射器件输出的光信号;
半透明硅基树脂层,所述半透明硅基树脂层被设置为覆盖所述光发射器件;以及
导线,所述导线被设置为连接所述第一引线框架和所述光发射器件,
其中,所述导线由包含银的材料形成。
2.根据权利要求1所述的光学耦合器件,其中,
所述硅基树脂层被设置为完全覆盖所述导线。
3.根据权利要求1所述的光学耦合器件,其中,
所述导线包含50重量%以上的银。
4.根据权利要求1所述的光学耦合器件,其中,
所述硅基树脂层被设置为覆盖所述光发射器件和所述光接收器件。
5.根据权利要求1所述的光学耦合器件,还包括:
第二引线框架,所述光接收器件被安装在所述第二引线框架上,
其中,所述第一引线框架具有第一相对区,并且所述第二引线框架具有第二相对区,
其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架被布置为使得所述第一相对区与所述第二相对区相对,并且
其中,所述光发射器件被安装在所述第一相对区中,并且所述光接收器件被安装在所述第二相对区中。
6.根据权利要求1所述的光学耦合器件,还包括:
第二引线框架,所述光接收器件被安装在所述第二引线框架上,
其中,所述第一引线框架具有第一安装区,所述光发射器件被安装在所述第一安装区上,
其中,所述第二引线框架具有第二安装区,所述光接收器件被安装在所述第二安装区上,并且
其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架被布置为使得所述第一安装区和所述第二安装区位于同一平面上。
7.根据权利要求1所述的光学耦合器件,还包括:
光阻挡层,所述光阻挡层被设置为覆盖所述硅基树脂层并且反射从所述光发射器件发射的光。
8.根据权利要求1所述的光学耦合器件,还包括:
光阻挡层,所述光阻挡层被设置为覆盖所述硅基树脂层并吸收光。
9.根据权利要求1所述的光学耦合器件,其中,
所述硅基树脂层具有包含硅氧烷键和羟基的化合物。
10.根据权利要求1所述的光学耦合器件,其中,
所述第一引线框架包括第一部分和第二部分,
其中,所述第一部分和所述第二部分被布置在同一平面上彼此分离,
其中,所述光发射器件被设置在所述第一部分的表面上,
其中,所述导线在一端与所述第二部分的表面相连接,并且在另一端与所述光发射器件相连接,
其中,所述硅基树脂层被设置在所述第一部分的表面和所述第二部分的表面上,以覆盖所述第一部分和所述第二部分之间的区域,并且
其中,所述第一部分和所述第二部分之间的间隔具有这样的尺寸,该尺寸使得在供应所述硅基树脂层时或在从所述供应至硬化的时间段期间,所述硅基树脂层不会流动至所述第一部分和所述第二部分的背面。
11.根据权利要求1所述的光学耦合器件,还包括:
聚酰亚胺基绝缘膜,所述聚酰亚胺基绝缘膜被设置在所述光发射器件和所述光接收器件之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的