[发明专利]光学耦合器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种光学耦合器件。

背景技术

光学耦合器件，例如光耦合器以及光MOSFET，是公知的。光学耦合器件具有光发射器件和光接收器件。在光学耦合器件中，电信号被光发射器件转换成光信号。光信号被供应至光接收器件。当接收到光信号时，光接收器件变成导电状态。因此，能够在保持光发射器件和光接收器件之间的电绝缘状态的同时传输信号。

作为光学耦合器件的一个示例，专利文献1（JP H10-209488A）中公开的光学耦合器件是公知的。在专利文献1的光学耦合器件中，光发射器件设置在主侧引线框架上并线结合至布线引线框架，且光接收器件设置在次级侧引线框架上并线结合至布线引线框架。光发射器件和光接收器件由诸如环氧树脂的主半透明模具覆盖，且在其周围，形成由光阻挡环氧树脂等制成的辅助模制层。注意到利用金、银、铝、铜等线结合光发射器件和光接收器件。

引证列表

[专利文献1]JP H10-209488A

发明内容

在根据专利文献1的光学耦合器件中，利用环氧树脂密封光发射器件和光接收器件。

另一方面，考虑到树脂特性等，也存在利用硅基树脂层密封光发射器件和光接收器件的情况。而且，有时利用Au线将光发射器件与引线框架连接。在这种情况下，Au线也由硅基树脂层覆盖。

这里，据本发明的发明人所知，硅基树脂层和Au线之间的粘附属性较弱。因此，有时在硅基树脂层和Au线之间会产生空隙。该空隙妨碍光传输。

将从说明书和附图使其他问题和新特征变得清楚。

根据一个实施例的光学耦合器件包括第一引线框架、安装在第一引线框架上的光发射器件、构造为接收从光发射器件发射的光的光接收器件、设置为具有半透明属性并覆盖光发射器件的硅基树脂层、连接第一引线框架和光发射器件的导电线。导电线由包含银的材料形成。

根据上述一个实施例，提供光学耦合器件，其能提高光传输速率。

附图说明

图1是示意性示出根据第一实施例的光学耦合器件的截面图；

图2是示意性示出根据一个比较例的光学耦合器件的截面图；

图3是示意性示出根据该比较例的光学耦合器件的截面图；

图4是示意性示出根据第一实施例的光学耦合器件的截面图；

图5是示意性示出根据第二实施例的光学耦合器件的截面图；

图6是示意性示出金属和硅基树脂层之间的界面部分的状态的示意图；

图7是示意性示出根据参考例1的光学耦合器件的截面图；

图8是示意性示出根据参考例2的光学耦合器件的示意图；

图9是示意性示出根据第五实施例的光学耦合器件的分离图；

图10是示意性示出根据第五实施例的一个比较例的光学耦合器件的截面图；

图11是示意性示出根据对于第五实施例的比较例的光学耦合器件的截面图；

图12是示意性示出根据第五实施例的光学耦合器件的截面图；以及

图13是示意性示出根据第六实施例的光学耦合器件的截面图。

具体实施方式

以下将参考附图说明光学耦合器件的实施例。

[第一实施例]

图1是示意性示出根据第一实施例的光学耦合器件的截面图。

如图1中所示，光学耦合器件10包括光发射器件1、光接收器件2、第一引线框架4-1、第二引线框架4-2、硅基树脂层6、半透明树脂层7以及光阻挡树脂层8。

第一引线框架4-1包括第一相对区5-1，且第二引线框架4-2包括第二相对区5-2。第一引线框架4-1和第二引线框架4-2被布置为使得第一相对区5-1和第二相对区5-2彼此相对。

光发射器件1通过导电浆料3（安装材料）安装在第一相对区5-1中。光接收器件2也通过导电浆料3安装在第二相对区5-2中。光发射器件1由诸如GaAs和AlGaAs的材料构造。

光发射器件1通过Ag线12-1连接至第一引线框架4-1。Ag线12-1是合金线，该合金线包括占合金线的总重量50重量％以上的Ag。

类似于光发射器件1，光接收器件2也通过Ag线12-2连接至第二引线框架4-2。

硅基树脂层6设置为保护光发射器件1。即，硅基树脂层6设置为覆盖光发射器件1。硅基树脂层6具有半透明属性。这里，硅基树脂层6也设置为完全覆盖Ag线12-1。注意到，硅基树脂层6是包括在主链中具有硅氧烷键的树脂作为主要成分的树脂层。