[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板；

形成一栅极于该基板上；

形成一栅极保护层于该基板上，并覆盖该栅极；

形成一金属氧化物层于该栅极保护层上；

形成一绝缘材料层于该金属氧化物层上；

移除部份的该金属氧化物层及部份的该绝缘材料层，而分别形成一金属氧化物主动层及一金属氧化物保护层；

形成一第一贯孔及一第二贯孔，该第一贯孔及该第二贯孔裸露出该金属氧化物主动层的上表面，并贯穿该金属氧化物保护层；以及

分别设置一源极及一漏极于该第一贯孔及该第二贯孔内，用以电性连接该金属氧化物主动层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，形成该金属氧化物主动层及该金属氧化物保护层的步骤还包括：

形成一第一光阻图案于该绝缘材料层上，并位在该栅极的正上方；以及

以该第一光阻图案为罩幕，移除部份的该绝缘材料层及部份的该金属氧化物层，而分别形成该金属氧化物保护层及该金属氧化物主动层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，移除部份的该绝缘材料层的步骤为利用干蚀刻制程，以及移除部份的该金属氧化物层的步骤为利用湿蚀刻制程。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，形成该金属氧化物主动层及该金属氧化物保护层的步骤还包括下列步骤：形成一蚀刻终止层于该栅极保护层上，并覆盖该金属氧化物保护层，其中该第一贯孔及该第二贯孔亦贯穿该蚀刻终止层及该金属氧化物保护层。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该金属氧化物保护层及该蚀刻终止层为相同材质，且该栅极正上方的该金属氧化物保护层及该蚀刻终止层所相加的厚度大于位在该栅极两侧的该蚀刻终止层的厚度。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，形成该第一贯孔及该第二贯孔的步骤还包括下列步骤：

形成一第二光阻图案于该栅极保护层上及部份的该金属氧化物保护层上；

以该第二光阻图案为罩幕，移除部份的该金属氧化物保护层，而在该金属氧化物主动层上形成该第一贯孔及该第二贯孔；以及

移除该第二光阻图案。

7.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基板；

形成一栅极于该基板上；

形成一栅极保护层于该基板上，并覆盖该栅极；

形成一金属氧化物层于该栅极保护层上；

形成一光阻图案于该金属氧化物层上，并位在该栅极的正上方；

以该光阻图案为罩幕，移除部份的该金属氧化物层，而形成一金属氧化物主动层；

移除该第一光阻图案；

形成一蚀刻终止层于该栅极保护层上，并覆盖该金属氧化物主动层；

形成一第一贯孔及一第二贯孔，该第一贯孔及该第二贯孔裸露出该金属氧化物主动层的上表面，并贯穿该蚀刻终止层；以及

分别设置一源极及一漏极于该第一贯孔及该第二贯孔内，用以电性连接该金属氧化物主动层。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，移除该第一光阻图案的步骤为利用干式剥膜制程。

9.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

一基板；以及

复数个薄膜晶体管，各该薄膜晶体管包括：

一栅极，设置于该基板上；

一栅极保护层，设置于该基板上，并覆盖该栅极；

一金属氧化物主动层，设置于该栅极保护层上；

一金属氧化物保护层，设置于该金属氧化物主动层上；

一蚀刻终止层，设置于该金属氧化物保护层上，其中一第一贯孔及一第二贯孔贯穿该蚀刻终止层及该金属氧化物保护层；

一源极及一漏极，分别设置于该第一贯孔及该第二贯孔内，并电性连接该金属氧化物主动层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该金属氧化物保护层及该蚀刻终止层为相同材质，且该栅极正上方的该金属氧化物保护层及该蚀刻终止层所相加的厚度大于位在该栅极两侧的该蚀刻终止层的厚度。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该金属氧化物主动层的材料为氧化铟镓锌，且该金属氧化物保护层的厚度大于500埃。