[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管基板及其制造方法，特别是有关于一种能避免金属氧化物主动层在成膜完后不会受到环境中的水气以及制程中的药液所污染的薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

随着显示科技的日益进步，人们藉着显示器的辅助可使生活更加便利，为求显示器轻、薄的特性，促使平面显示器(FlAt pAnEl displAy, FPD)成为目前的主流。在诸多平面显示器中，液晶显示器(liquid CrystAl displAy, LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因此，液晶显示器深受消费者欢迎。特别是，在显示器中被大量使用到的薄膜晶体管基板，其结构设计或是材料的选择更是会直接影响到产品的性能。

一般来说，薄膜晶体管基板中的薄膜晶体管至少具有栅极、源极、漏极以及信道层等构件，其中可透过控制栅极的电压来改变信道层的导电性，以使源极与漏极之间形成导通(开)或绝缘(关)的状态。信道层材质大多为非晶硅(AmorpHous siliCon, A-Si)，但近几年来因氧化铟镓锌(Indium gAllium zinC oxidE, IGZO)与非晶硅相比能够缩小晶体管尺寸，提高液晶面板画素的开口率，较易实现分辨率高出一倍，电子迁移率快十倍，因此有逐渐取代该非晶硅的趋势。

然而，氧化铟镓锌(IGZO)在成膜、微影、蚀刻等制程完成后，会进入剥膜制程，将附着在氧化铟镓锌上的光阻剥除，此时氧化铟镓锌(IGZO)的表面由于没有光阻保护，容易受到环境中的水气、剥膜制程中的药液所污染，对于氧化铟镓锌(IGZO)的电性影响很大。

因此，便有需要提供一种能避免环境中的水气以及制程中的药液污染氧化铟镓锌的薄膜晶体管基板及其制造方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种不会受到环境中的水气以及制程中的药液所污染的薄膜晶体管基板及其制造方法。

为达成上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一栅极于该基板上；形成一栅极保护层于该基板上，并覆盖该栅极；形成一金属氧化物层于该栅极保护层上；形成一绝缘材料层于该金属氧化物层上；移除部份的该金属氧化物层及部份的该绝缘材料层，而分别形成一金属氧化物主动层及一金属氧化物保护层；形成一第一贯孔及一第二贯孔，该第一贯孔及该第二贯孔裸露出该金属氧化物主动层的上表面，并贯穿该金属氧化物保护层；以及分别设置一源极及一漏极于该第一贯孔及该第二贯孔内，用以电性连接该金属氧化物主动层。

为达成上述目的，本发明再提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一栅极于该基板上；形成一栅极保护层于该基板上，并覆盖该栅极；形成一金属氧化物层于该栅极保护层上；形成一光阻图案于该金属氧化物层上，并位在该栅极的正上方；以该光阻图案为罩幕，移除部份的该金属氧化物层，而形成一金属氧化物主动层；移除该第一光阻图案；形成一蚀刻终止层于该栅极保护层上，并覆盖该金属氧化物主动层；形成一第一贯孔及一第二贯孔，该第一贯孔及该第二贯孔裸露出该金属氧化物主动层的上表面，并贯穿该蚀刻终止层；以及分别设置一源极及一漏极于该第一贯孔及该第二贯孔内，用以电性连接该金属氧化物主动层。

为达成上述目的，本发明又提供一种薄膜晶体管基板，包括：一基板；以及复数个薄膜晶体管，各该薄膜晶体管包括：一栅极，设置于该基板上；一栅极保护层，设置于该基板上，并覆盖该栅极；一金属氧化物主动层，设置于该栅极保护层上；一金属氧化物保护层，设置于该金属氧化物主动层上；一蚀刻终止层，设置于该金属氧化物保护层上，其中一第一贯孔及一第二贯孔贯穿该蚀刻终止层及该金属氧化物保护层；一源极及一漏极，分别设置于该第一贯孔及该第二贯孔内，并电性连接该金属氧化物主动层。

本发明中所述的薄膜晶体管基板及其制造方法。金属氧化物层成膜完后，随即形成一层绝缘材料层作为保护层，之后在微影制程完后先以干蚀刻制程将光阻图案覆盖区域以外的绝缘材料层移除，以及利用湿蚀刻制程将光阻图案覆盖区域以外的金属氧化物层移除。该绝缘材料层可确保金属氧化物在成膜完后不会受到环境中的水气以及制程中的药液所污染。也可利用干式剥膜的方式，移除该金属氧化物主动层上的光阻图案，以避免剥膜制程中的药液影响金属氧化物主动层。

为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显，下文将配合所附图示，作详细说明如下。

附图说明

图1A-图1H为本发明的第一实施例的薄膜晶体管基板的制造流程的剖面图；