[发明专利]制作层堆叠的方法

权利要求书

1.一种制作衬底的层堆叠的方法，所述方法包括：

在衬底上沉积具有在从100nm到400nm的范围中的厚度的第一Ti基层；

在第一层上沉积具有在从30nm到50nm的范围中的厚度的中间的Al基层；

在中间层上沉积具有在从200nm到400nm的范围中的厚度的第二NiV基层；

在第二层上沉积具有在从200nm到600nm的范围中的厚度的第三Ag基层；

其中，中间层中的Al利用选自由Ti，Ni，和V构成的组的金属通过回火部分地被转换成金属间相。

2.根据权利要求1的方法，其中所述衬底包括Si。

3.根据权利要求1的方法，其中所述第一层，第二层，第三层和所述中间层中的一个或多个通过溅射被沉积。

4.根据权利要求1的方法，其中在从300℃—400℃的温度范围中并且对于从20分钟-40分钟的持续时间执行回火。

5.根据权利要求1的方法，其中使用剥离方法沉积层堆叠。

6.根据权利要求1的方法，其中所述层堆叠被沉积在所述衬底的预定部分上。

7.根据权利要求6的方法，进一步包括：

将牺牲材料沉积在不同于所述预定部分的部分中的所述衬底上；

将所述层堆叠沉积在所述预定部分中的所述衬底上和所述牺牲层上；以及

去除所述牺牲层。

8.根据权利要求6的方法，其中所述预定部分包括电器件的电接触端子。

9.根据权利要求1的方法，其中所述层堆叠被沉积在所述衬底的整个表面上。

10.一种电子模块，包括：

衬底；

被设置在所述衬底上的层堆叠；

其中所述层堆叠包括：

第一层，其中所述第一层包含Ti并且具有在从100nm到400nm的范围中的厚度；

沉积在所述第一层上的中间层，其中所述中间层包含Al并且具有在从30nm到50nm的范围中的厚度，其中所述Al利用选自由Ti，Ni，和V构成的组的金属部分地被转换成金属间相；

沉积在所述中间层上的第二层，其中所述第二层包含NiV并且具有在从200nm到400nm的范围中的厚度；以及

沉积在所述第二层上的第三层，其中所述第三层包含Ag并且具有在从200nm到600nm的范围中的厚度。

11.根据权利要求10的电子模块，其中所述衬底包括Si。

12.根据权利要求10的电子模块，进一步包括在所述衬底中或在所述衬底上的至少一个电子器件。

13.根据权利要求12的电子模块，其中所述电子器件包括功率晶体管，MOS晶体管，SFET晶体管，垂直晶体管，和绝缘栅双极（IGB）晶体管中的一个或多个。

14.根据权利要求10的电子模块，其中所述层堆叠仅被布置在所述衬底的主表面的预定部分上。

15.根据权利要求14的电子模块，其中所述预定部分包括电器件的电接触端子。

16.根据权利要求10的电子模块，其中所述层堆叠被布置在所述衬底的整个主面上。

17.一种层堆叠，包括：

第一层，其中所述第一层包含Ti并且具有在从100nm到400nm的范围中的厚度；

设置在所述第一层上的中间层，其中所述中间层包含Al并且具有在从30nm到50nm的范围中的厚度，其中所述Al利用选自由Ti，Ni，和V构成的组的金属部分地被转换成金属间相；

设置在所述中间层上的第二层，其中所述第二层包含NiV并且具有在从200nm到400nm的范围中的厚度；和

设置在所述第二层上的第三层，其中所述第三层包含Ag并且具有在从200nm到600nm的范围中的厚度。