[发明专利]制作层堆叠的方法

说明书

技术领域

本发明涉及在衬底上制作层堆叠的方法、电子模块和层堆叠。

背景技术

焊接是其中两个或更多个部件，例如金属部件，通过熔化和将焊料材料流入接头处而结合到一起的过程。半导体芯片，例如功率半导体芯片可以通过使用焊接方法被安装在衬底或其它半导体芯片上。然而，在焊接期间可以在接头处的任一侧使用的两个或更多个金属材料之间形成金属间相。这些所得到的金属间相可能结果证明具有抗蚀性，其不足够高，使得在最坏的情况下整个焊料连接可能断开。因此，存在对提供稳定的且永久可靠的焊料连接的持续的需要。

附图说明

附图被包括用以提供对实施例的进一步的理解并且被并入和构成该说明书的一部分。这些图示出实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。将容易领会其它实施例和实施例的多个预期的优点，因为参考以下详细描述它们将变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例。相似的参考数字表示相应的相似部分。

图1示出用于说明根据实施例用于在衬底上制作层堆叠的方法的流程图；

图2A-2D示出用于说明根据实施例在衬底上制作层堆叠的方法的示意截面侧视图表示；和

图3示出根据实施例的电子模块的示意截面侧视图表示。

具体实施方式

现在参照各图描述各方面和实施例，其中从头到尾相似的参考数字通常用来指代相似的元件。在下面的描述中，为了解释的目的，许多特定的细节被阐述以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。然而，对于本领域技术人员来说，可以显然的是实施例的一个或多个方面可以以更少程度的特定细节来被实施。在其它实例中，以示意的形式示出已知结构和元件以便便于描述实施例的一个或多个方面。应该理解在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以作出结构或逻辑变化。应该进一步注意到各图不是按比例或者不必要按比例。

另外，虽然可以相对于几个实施方式中的仅一个来公开实施例的特定特征或方面，但是在对于任何给定的或特定的应用可以是所需的和有利的时，这样的特征或方面可以与其它实施方式的一个或多个其它特征或者方面相结合。此外，就在详细的描述或者权利要求中使用的术语“包括”，“具有”，“有”或者其其它变体来说，这样的术语以与术语“包含”相似的方式旨在是包括一切的（inclusive）。可以使用术语“耦合”和“连接”以及派生词。应该理解这些术语可以被用来表示两个元件互相协作或互相作用，不管它们是直接物理或电接触，还是它们不是互相直接接触。而且，术语“示例性的”仅意指作为示例，而不是最好的或最佳的。因此，下面详细的描述不是在限制性意义上来进行的，并且本发明的范围被所附权利要求限定。

电子模块的实施例和在衬底上制作层堆叠的方法可以使用各种类型的衬底，尤其是半导体芯片或并入在半导体芯片中的电路，在它们之中有逻辑集成电路，模拟集成电路，混合信号集成电路，传感器电路，MEMS（微机电系统），功率集成电路，具有集成无源器（integrated passives）的芯片等。实施例也可以使用半导体芯片，所述半导体芯片包括MOS晶体管结构或者垂直晶体管结构，比如例如，IGBT（绝缘栅双极晶体管）结构或者通常是其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主面上并且至少一个其它电接触焊盘被布置在与半导体芯片的第一主面相对的半导体芯片的第二主面上的晶体管或其它结构或器件。

在几个实施例中，层或者层堆叠被施加到彼此或者材料被施加或者沉积到层上。应该领会到任何这样的术语如“被施加”或者“被沉积”意味着字面上覆盖将层施加到彼此之上的所有种类和技术。特别地，它们意味着覆盖其中各层作为整体被同时施加的技术，比如，例如层压技术以及其中层以顺序的方式被沉积的技术，比如，例如溅射，电镀，模塑，CVD等。

半导体芯片可以包括在其外表面的一个或多个上的接触元件或接触焊盘，其中接触元件用于电接触半导体芯片。接触元件可以具有任何所需的形式或形状。它们可以例如具有接触面（land）的形式，即在半导体芯片的外表面上的平的接触层。可以由任何导电材料，例如由金属（诸如如铝，金，或铜）或者金属合金，或者导电有机材料，或者导电半导体材料来制成接触元件或者接触焊盘。

在权利要求中并且在下面的描述中，尤其在流程图中，用于制作电子部件的方法的不同实施例被描述为特定顺序的工艺或者测量。应该注意到实施例不应被限制到描述的特定顺序。不同工艺或者测量的特定的一些或者全部也可以同时地或者以任何其它有益的和适当的顺序来进行。