[发明专利]基板支撑装置及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明作为涉及基板支撑装置及基板处理装置，更详细的说为了在基板边缘位置领域均匀的供给净化气体的基板支撑装置及基板处理装置。

背景技术

制造了层叠多种薄膜的半导体存储器等各种电子元件。即，在基板上形成各种薄膜，并且使用照片蚀刻工序图形化如同其形成的薄膜，形成元件构造。

薄膜根据材料具有导电膜、电介质膜、绝缘膜等，制造薄膜的方法也是多种多样，制造薄膜的方法大致有物理性方法及化学性方法等。最近为了制造半导体元件，主要使用的是根据气体的化学反应在基板上形成金属、电介质、或绝缘体薄膜的化学气相沉积(CVD:Chemical vapor deposition)。

以CVD方法在基板制造薄膜的情况，使基板配置在CVD装置的腔室内部的基板支撑台上，向腔室内部供给工序气体，以其气体反应制造薄膜。这种CVD方式为，在基板上的薄膜以所有方向形成的等向性沉积，在供给工序气体的所有领域制造薄膜。若基板加载在CVD腔室内，基板的后面被支撑在基板支撑台，则基板的前面及侧面露出，因此在基板的前面及侧面形成薄膜。另外，就算基板的后面接触基板支撑台，由于向基板的后面与基板支撑台之间的缝隙渗透工序气体，可在基板后面形成薄膜。

另一方面，半导体元件在基板前面的有效领域制造，在这种有效领域形成高品质的均匀的薄膜为最佳。另外，在基板的边缘位置及后面形成的薄膜不仅不能运用为元件，附着在基板引起使基板整体或一部分不可用的污染物质，在基板的边缘位置及在后面沉积的材料被剥离，引起粒子(particle)污染。即，剥离的材料发生为不希望的粒子，不当的附着在基板或使污染在腔室内部的多个位置引起。

就此，在基板支撑台安装基板，设置具有基板边缘位置领域且屏蔽的遮蔽环，或在基板的下面侧或边缘位置供给净化气体，抑制或防止在这部分的薄膜沉积。

但是，就算设置遮蔽环，向基板与遮蔽环缝隙之间渗透工序气体，存在不能有效抑制在基板的边缘位置或后面形成薄膜的问题。另外，就算供给净化气体，基板的下面或边缘位置净化气体不能均匀的供给，仍然存在在一部分领域形成薄膜的问题。

（先行技术文献）

（专利文献）

（专利文献1）KR852098B

发明内容

(要解决的课题)

本发明提供的基板支撑装置及基板处理装置为，可使净化气体在基板的边缘位置领域均匀的供给。

本发明提供的基板支撑装置及基板处理装置为，可防止在基板的边缘位置及后面沉积薄膜。

(课题的解决方法)

根据本发明实施形态的基板支撑装置，包括：基板支撑体，安装基板；及保护环，设置在所述基板支撑体上，形成在高于所述基板支撑体的上面的位置，使气体向所述基板喷射的流通渠道。

所述保护环，也可包括：环形态的第1机体；第2机体，从所述第1机体向内侧方向延长形成；第1流通渠道，一端与所述第2机体的下面连接，由此向上部方向延长形成；及第2流通渠道，与所述第1流通渠道的其他端连接，向内侧方向延长形成。

另外，所述保护环的特征在于，包括：下部环，具有环形态的机体且与所述机体的下面连接，由此向上部方向延长形成的第1流通渠道，及与所述第1流通渠道的其他端连接，向内侧方向延长形成的第2流通渠道；及上部环，设置在所述下部环上，在与所述下部环的内侧面之间，形成与所述第2流通渠道连接的第3流通渠道，所述流通渠道，包括所述第1流通渠道、所述第2流通渠道、所述第3流通渠道。

所述第1及第2流通渠道，根据所述下部环的圆周方向也可形成多个。

所述第1流通渠道，垂直贯通所述下部环的机体形成，所述第2流通渠道，也可在所述机体的上面形成为凹陷的槽。

所述第2机体，在内侧面的至少一部分形成，也可具有向下倾斜的倾斜面。

所述倾斜面，也可具有45°至80°的倾斜。

所述第1机体，也可具有在其上面凹陷形成的至少一个以上的结合槽。

所述保护环与所述基板支撑体之间，形成通过气体的主渠道，并且所述主渠道也可与所述流通渠道连接。

所述主渠道，也可与在所述第1流通渠道及所述保护环的下面边缘位置领域，与所述基板支撑体的侧面之间形成的第4流通渠道连接。

所述基板支撑体，具有在内部通过气体的气体通道，所述气体通道也可与所述主渠道连接。

所述下部环，具有在上面凹陷形成的结合槽。所述上部环，也可具有在下面对应所述结合槽的结合凸起。