[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201310681004.6 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN103871944A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 松崎荣;川合章仁;荒井一尚 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;金玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,将晶片沿着间隔道分割成一个个器件,并且在各器件的背面装配树脂膜,其中,在该晶片的多个区域形成有器件,该多个区域是由在该晶片的表面呈格子状地形成的多条间隔道划分而成的,该晶片的加工方法的特征在于包括:

分割槽形成步骤,从晶片的表面侧沿着间隔道形成分割槽,该分割槽的深度相当于器件的成品厚度;

保护部件粘贴步骤,在实施了该分割槽形成步骤的晶片的表面粘贴保护部件;

晶片分割步骤,磨削实施了该保护部件粘贴步骤的晶片的背面而使该分割槽露出于背面,将晶片分割成一个个器件;

晶片支承步骤,在实施了该晶片分割步骤的晶片的背面装配树脂膜,并且通过装配于环状框的切割带来支承树脂膜侧;

保护部件剥离步骤,将粘贴于实施了该晶片支承步骤的晶片的表面的保护部件剥离;以及

蚀刻步骤,使蚀刻气等离子化而使其从晶片的表面侧侵入到该分割槽内,对在该分割槽内露出的树脂膜进行蚀刻去除,其中,该蚀刻气是对装配在实施了该保护部件剥离步骤的晶片的背面的树脂膜进行蚀刻的气体。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,

在该蚀刻步骤中使用的蚀刻气是氧气或二氧化碳气体。

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