[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及这样的晶片的加工方法：将由在表面呈格子状地形成的间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且将芯片接合用的粘接膜（DAF）等树脂膜装配到各器件的背面。

背景技术

例如，在半导体器件制造步骤中，由在大致圆板形形状的半导体晶片的表面呈格子状地形成的分割预定线（间隔道）划分而成的多个区域形成IC（集成电路）、LSI（大规模集成电路）等器件，沿着间隔道对形成有该器件的各区域进行分割，由此，制造出一个个半导体器件。作为分割半导体晶片的分割装置一般使用切削装置，该切削装置通过厚度为20μm左右的切削刀沿着间隔道来切削半导体晶片。像这样分割出的半导体器件在封装之后被广泛利用到便携电话和个人电脑等电气设备中。

关于被分割成一个一个的半导体器件，在其背面装配有由聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂等形成的厚度为10～30μm的、被称为芯片粘接膜（DAF，Die Attach Film）的芯片接合用的粘接膜，通过加热而接合到隔着该粘接膜支承半导体器件的芯片接合框架。另外，存在这样的情况：为了抑制存在于由硅基板构成的半导体晶片内的微量金属杂质的移动，将被称为芯片背侧膜（DSF，Die Back Side Film）的树脂膜装配到半导体晶片的背面。作为将被称为芯片粘接膜（DAF）或芯片背侧膜（DSF）的树脂膜装配到半导体器件的背面的方法，在将树脂膜粘贴到半导体晶片的背面，将半导体晶片经该树脂膜粘贴到切割带之后，沿着形成于半导体晶片的表面的间隔道利用切削刀来将半导体晶片与粘接膜一起切断，由此，形成了在背面装配有树脂膜的半导体器件。

然而，根据上述的装配树脂膜的方法，存在这样的问题：在通过切削刀对半导体晶片和树脂膜一起进行切断而分割成一个个半导体器件时，在半导体器件的背面产生缺口、或在树脂膜产生须状的毛边，从而成为引线接合时断线的原因。

近年来，便携电话和个人电脑等电气设备要求更轻量化、小型化，从而需要更薄的半导体器件。作为更薄地分割半导体器件的技术，所谓称为先切割法的分割技术被实用化。该先切割法是这样的技术：从半导体晶片的表面沿着间隔道形成规定的深度（相当于半导体器件的成品厚度的深度）的分割槽，然后，在将保护带粘贴到半导体晶片的表面之后对半导体晶片的背面进行磨削，由此，在半导体晶片的背面露出分割槽而将半导体晶片分割成一个个半导体器件，可以将半导体器件的厚度加工到50μm以下。

然而，在通过先切割法将半导体晶片分割成一个个半导体器件的情况下，在从半导体晶片的表面沿着间隔道形成了规定的深度的分割槽之后，将保护带粘贴到半导体晶片的表面并对背面进行磨削，使分割槽在该背面露出，因此，不能将芯片粘接膜（DAF）或芯片背侧膜（DSF）等树脂膜提前装配到半导体晶片的背面。因此，存在这样的问题：在通过先切割法接合到支承半导体器件的芯片接合框架时，不得不将接合剂插入到半导体器件与芯片接合框架之间，不能顺畅地实施接合作业。

为了解决这样的问题，提出了这样的半导体器件的制造方法：将芯片粘接膜（DAF）或芯片背侧膜（DSF）等树脂膜装配到通过先切割法而被分割成一个个半导体器件的晶片的背面，将半导体器件隔着该树脂膜粘贴到切割带上，之后，从半导体器件的表面侧穿过各半导体器件之间的间隙向在上述间隙露出的该树脂膜的部分照射激光光线，从而熔断树脂膜的在上述间隙露出的部分。（例如参照专利文献1。）

【专利文献1】日本特开2002-118081号公报

然而，存在这样的问题：通过照射激光光线而被熔断的芯片粘接膜（DAF）或芯片背侧膜（DSF）等树脂膜从器件的外周伸出，由于从该器件的外周伸出的伸出部分对形成于器件表面的接合区（bonding pad）造成污染等，而使器件的品质降低。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的发明，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地将芯片粘接膜（DAF）或芯片背侧膜（DSF）等树脂膜装配到各个器件的背面。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，将晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且在各器件的背面装配树脂膜，其中，在该晶片的多个区域形成有器件，该多个区域是由在表面呈格子状地形成的多条间隔道划分而成的，该晶片的加工方法的特征在于包括：

分割槽形成步骤，从晶片的表面侧沿着间隔道形成分割槽，该分割槽的深度相当于器件的成品厚度；

保护部件粘贴步骤，在实施了该分割槽形成步骤的晶片的表面粘贴保护部件；